Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2012
Autor(a) principal: Alati, Daniel Manha
Orientador(a): Gimenez, S. P.
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/408
id FEI_8d779c79b5f8ed1ed3648ebd6825fbd2
oai_identifier_str oai:repositorio.fei.edu.br:FEI/408
network_acronym_str FEI
network_name_str Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
repository_id_str
spelling Alati, Daniel ManhaGimenez, S. P.2019-03-20T14:00:50Z2019-03-20T14:00:50Z2012ALATI, Daniel Manha. <b> Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos. </b> <b></b> 2012. 198 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=230>. Acesso em: 22 maio 2012.https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/408porpt_BRTransistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutorEstudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativosinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisreponame:Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)instname:Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)instacron:FEIinfo:eu-repo/semantics/openAccessEsse trabalho apresenta novas possibilidades de construção de MOSFETs com estilo de layout diferenciado, aos quais foram projetados e patenteados pelo Centro Universitário da FEI. Os MOSFETs do tipo Diamante e Octo possuem geometria de porta hexagonal e octogonal, respectivamente, e o SOI MOSFET Fish possui formato de porta semelhante ao sinal matemático "menor que" (<). Os MOSFETs com geometria de porta não convencional foram estudados comparativamente com os MOSFETs de geometria convencional (retangular). Os resultados simulados e experimentais mostram que essas novas geometrias de porta podem aumentar o desempenho dos dispositivos e, consequentemente, dos circuitos integrados (CIs) analógicos e digitais, quando comparado aos transistores convencionais equivalentes. O CI que contém os MOSFETs Diamantes (DMs), os MOSFETs Octos (OMs) e os MOSFETs convencionais (CMs) foi manufaturado utilizando processo de fabricação convencional CMOS comercial de 0,35 ?m da On Semiconductor, por intermédio do MOSIS Educational Program. Considerando as mesmas condições de polarização, áreas de porta e fatores geométricos entre transistores equivalentes, o MOSFET Diamante foi concebido com o intuito de aumentar o campo elétrico longitudinal resultante na região de canal, quando comparado ao MOSFET convencional equivalente. Isso tudo é possível, pois o DM possui duas componentes vetoriais de campo elétrico longitudinal, enquanto que o CM equivalente possui somente uma componente. O aumento do campo elétrico longitudinal resultante do DM garante melhorias na corrente de dreno (IDS), na transcondutância (gm), na razão gm/IDS, na resistência entre dreno e fonte de estado ligado (Ron), no ganho de tensão do amplificador fonte comum (AVO) e na frequência de ganho de tensão unitário (fT), quando comparado ao respectivo CM equivalente. Como exemplo, pode-se citar o aumento de 168% no valor de IDS (triodo) do DM com ângulo ? de 36,9º, em relação ao valor obtido do CM equivalente. O MOSFET Octo, que é obtido quando os vértices do transistor hexagonal são cortados, foi projetado com o objetivo de aumentar a robustez contra descargas eletrostáticas e elevar a tensão de ruptura do transistor, considerando as mesmas condições de polarização entre o OM e o DM equivalentes. Essa nova estrutura contém três componentes de campo elétrico longitudinal. Comparado ao CM equivalente, o OM associa melhorias de vários parâmetros elétricos com significante redução na área de silício ocupada pelo transistor, considerando as mesmas condições de polarização. O SOI MOSFET Fish (FSM) preserva o conceito de efeito de canto longitudinal (LCE) do DM e pode ser construído com a dimensão mínima permitida pela tecnologia CMOS, ou seja, o FSM foi especialmente projetado para aplicações digitais de CIs. Considerando as mesmas condições de polarização e áreas de porta, o FSM possui melhor desempenho que o seu equivalente SOI MOSFET convencional (CSM) para a corrente de dreno normalizada pelo fator geométrico, transcondutância normalizada pelo fator geométrico, Ron, tensão Early, ganho de tensão intrínseco do transistor (AV) e fT. Para ilustrar, o valor de AV do FSM com ângulo ? de 45º foi 47,9% maior que o valor obtido para o CSM equivalente. Visando a aplicação aeroespacial de CIs, o estudo comparativo dos efeitos da radiação nos DMs e nos seus respectivos CMs equivalentes foi realizado. O primeiro ensaio de radiação foi feito com raios-X no Centro Universitário da FEI, enquanto que o segundo ensaio foi feito com feixe de prótons no Laboratório de Materiais e Feixes Iônicos (LAMFI), que está contido nas dependências do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP). Foi constatado, experimentalmente, que o Diamante é mais robusto aos efeitos da radiação (raios-X e prótons) que o CM equivalente, devido a menor região de bico de pássaro presente na estrutura hexagonal, considerando as mesmas condições de polarizaçãoORIGINALfulltext.pdffulltext.pdfapplication/pdf4533224https://repositorio-novo.fei.edu.br/bitstreams/bcf49a84-26bf-4c9c-af45-2c9c8323cbe9/downloadb54b6660b1ca3a634420776f20a49559MD52trueAnonymousREADTEXTfulltext.pdf.txtfulltext.pdf.txtExtracted texttext/plain102757https://repositorio-novo.fei.edu.br/bitstreams/d5554f09-94e4-41cd-bcf0-c72d1663d5f0/download2cfb9ca1770a0745b88b6d3b0982026dMD55falseAnonymousREADTHUMBNAILfulltext.pdf.jpgfulltext.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg2480https://repositorio-novo.fei.edu.br/bitstreams/9bba90a4-e748-4738-8285-d176ce66193e/downloadd4ef9055609a90814e534502821c0bd4MD56falseAnonymousREADFEI/4082023-03-14 13:08:17.933open.accessoai:repositorio.fei.edu.br:FEI/408https://repositorio-novo.fei.edu.brBiblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://sofia.fei.edu.br/pergamum/biblioteca/PRIhttps://repositorio-api.fei.edu.br/server/oai/requestcfernandes@fei.edu.bropendoar:2023-03-14T13:08:17Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI) - Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
title Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
spellingShingle Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
Alati, Daniel Manha
Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
title_short Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
title_full Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
title_fullStr Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
title_full_unstemmed Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
title_sort Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
author Alati, Daniel Manha
author_facet Alati, Daniel Manha
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Alati, Daniel Manha
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Gimenez, S. P.
contributor_str_mv Gimenez, S. P.
dc.subject.por.fl_str_mv Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
topic Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
publishDate 2012
dc.date.issued.fl_str_mv 2012
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-03-20T14:00:50Z
dc.date.available.fl_str_mv 2019-03-20T14:00:50Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.citation.fl_str_mv ALATI, Daniel Manha. <b> Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos. </b> <b></b> 2012. 198 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=230>. Acesso em: 22 maio 2012.
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/408
identifier_str_mv ALATI, Daniel Manha. <b> Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos. </b> <b></b> 2012. 198 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=230>. Acesso em: 22 maio 2012.
url https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/408
dc.language.iso.fl_str_mv por
pt_BR
language por
language_invalid_str_mv pt_BR
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
instname:Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
instacron:FEI
instname_str Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
instacron_str FEI
institution FEI
reponame_str Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
collection Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio-novo.fei.edu.br/bitstreams/bcf49a84-26bf-4c9c-af45-2c9c8323cbe9/download
https://repositorio-novo.fei.edu.br/bitstreams/d5554f09-94e4-41cd-bcf0-c72d1663d5f0/download
https://repositorio-novo.fei.edu.br/bitstreams/9bba90a4-e748-4738-8285-d176ce66193e/download
bitstream.checksum.fl_str_mv b54b6660b1ca3a634420776f20a49559
2cfb9ca1770a0745b88b6d3b0982026d
d4ef9055609a90814e534502821c0bd4
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório do Conhecimento Institucional do Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI) - Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI)
repository.mail.fl_str_mv cfernandes@fei.edu.br
_version_ 1862545944702091264

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