Estudo da viabilidade técnica da mobilidade do semicondutor 6H-SiC para aplicação na indústria de semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2020
Autor(a) principal: Ferracioli, Ricardo Tadeu
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Pontifícia Universidade Católica de Goiás
Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção
Brasil
PUC Goiás
Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Semicondutores
Semiconductors
Engenharias: Engenharia de Produção
Link de acesso: http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/4502
Resumo: Neste trabalho estudamos a mobilidade do semicondutor 6H-SiC, o qual é de grande interesse tecnológico atual. O 6H-SiC possui várias utilidades comerciais. Inúmeras aplicações tem sido propostas com base nas suas propriedades optoeletrônicas, como: eletrônicos de alta temperatura, microestruturas, dispositivos optoeletrônicos, dispositivos de alta potência e alta frequência, eletrônicos rígidos de radiação, detectores de ultravioleta, células solares, diodos emissores de luz, etc. Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga no semicondutor 6H-SiC. A caracterização e o conhecimento destas propriedades são de extrema importância para a fabricação de componentes eletrônicos pela indústria de semicondutores. Para o estudo aqui realizado foi utilizada uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor 6H-SiC dopado tipo n levando-se em consideração variações da temperatura ambiente e do campo elétrico aplicado no semicondutor. O principal resultado obtido é que a mobilidade eletrônica é maior quando o campo elétrico é aplicado na direção perpendicular ao eixo c da rede cristalina do semicondutor 6H-SiC. Foi obtido também que a mobilidade diminui com o aumento da temperatura de forma bem definida. Esta redução na mobilidade com a temperatura fornece a possibilidade de construção de um termômetro baseado nesta relação entre a mobilidade eletrônica e a temperatura
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