Sistemas quânticos com massa espacialmente variável induzidos por defeitos topológicos.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2014
Autor(a) principal: FREITAS, Mayara de Lima.
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Campina Grande
Brasil
Centro de Ciências e Tecnologia - CCT
PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA
UFCG
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Semicondutores - Física
Junções PNs
Defeitos Geométricos
Coeficientes
Geometria
Semiconductors - Physics
PN Junctions
Geometric Defects
Coefficients
Geometry
Física
Link de acesso: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9403
Resumo: A manipulação dos potenciais que agem sobre o elétron em superfícies semicondutoras a partir da criação de heteroestruturas que geram sistemas de massa variável, tem sido de fundamental importância para o desenvolvimento de nanodispositivos eletrônicos. Tais sistemas podem ser obtidos através da dopagem de materiais ou da inserção de defeitos geométricos. Neste trabalho analisamos os efeitos causados nos coeficientes de reflexão e transmissão que uma deslocação em parafuso acarreta em nanoestruturas cilíndricas semicondutoras. Concentramos nosso estudo nos casos em que as mesmas assemelham-se a um degrau potencial e a um poco quântico, observando as similaridades de comportamento entre os defeitos e as junções Pns dopadas, e suas influencias na dinâmica da partícula.
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