Exploring Independent Gates in FinFET-Based Transistor Network Generation.

• Ano de defesa: 2015
• Autor(a) principal: Possani, Vinícius Neves
• Orientador(a): Rosa Junior, Leomar Soares da
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: eng
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Pelotas
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Computação
• Departamento: Centro de Desenvolvimento Tecnológico
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: VLSI design; FinFET technology; Logic synthesis; EDA; CAD tools; Transistor network; Logic gates; Factorization; Graph theory; Tecnologia FinFET; Síntese lógica; Ferramentas de CAD; Redes de transistores; Portas lógicas; Fatoração; Teoria de grafos
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::CIENCIA DA COMPUTACAO
• Link de acesso: http://guaiaca.ufpel.edu.br/handle/prefix/8604

Inicialmente, este trabalho apresenta uma análise, apontando o impacto da tecnologia FinFET na geração de redes de transistores durante a etapa de síntese lógica. Essa análise apresenta diversos estudos de casos para demonstrar que uma mudança de paradigma vem sendo introduzida pelos dispositivos double gate, como os transistores independent-gate (IG) FinFET. Além disso, o presente trabalho mostra que essa mudança de paradigma deixa uma lacuna a ser explorada, tendo em vista que os métodos de geração de redes de transistores disponíveis na literatura não são capazes de explorar o potencial que os dispositivos double gate oferecem. Então, neste trabalho são propostos dois métodos alternativos para geração de redes de transistors baseadas em dispositivos IG FinFET. Um dos métodos é baseado em grafos e visa encontrar padrões de arranjos promissores para explorar o potencial dos dispositivos double gate. O segundo método proposto visa realizar defatorações em expressões Booleanas a fim de maximizar o uso dos gates independentes de cada transistor IG FinFET. Os experimentos realizados demonstram que os métodos propostos são capazes de gerar redes de transistors IG FinFET otimizadas, com um baixo custo em tempo de execução. Além disso, os resultados obtidos demonstram que de fato os métodos convencionais de geração de redes de transistors não são a melhor alternative para gerar redes baseadas em dispositivos double gate. Com isso, os resultados reforçam a existência de um novo paradigma introduzido pela tecnologia IG FinFET. Enfim, a análise apresentada neste trabalho dá suporte para o desenvolvimento de novas técnicas de geração de redes de transistors IG FinFET.