Processamento físico-químico de semicondutores com alta-mobilidade de portadores : germânio e grafeno

• Ano de defesa: 2015
• Autor(a) principal: Bom, Nicolau Molina
• Orientador(a): Radtke, Claudio
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Microeletrônica; Semicondutores
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/117763

A evolução da microeletrônica ocorrida nas últimas cinco décadas levou a tecnologia do Silício (Si) aos seus limites. A busca por novos materiais semicondutores se faz necessária, tendo em vista a continuidade de Lei de Moore para as proximas gerações de dispositivos. Neste contexto, o presente trabalho estuda o processamento de dois semicondutores de alta-mobilidade de portadores alternativos ao Si: germânio (Ge) e grafeno. No primeiro estudo, foi investigada a incorporação do deutério (D) em estruturas GeO2/Ge submetidas a tratamentos térmicos em atmosfera de D2. Tal processamento é usualmente utilizado na passivação de ligações pendentes na interface SiO2/Si. Concentrações mais altas de D foram verificadas para amostras GeO2/Ge, em comparação a estruturas SiO2/Si tratadas nas mesmas condições. Foi também observada a volatilização da camada de GeO2 para tratamentos em temperaturas > 450°C. Concomitantemente a este processo, a estequiometria do óxido remanescente é modificada em função de reações químicas entre o D2 e o GeO2. Como resultado desta interação, são formados compostos voláteis que contribuem para a dessorção do óxido. Estes resultados evidenciam o amplo impacto dos parâmetros de processamento de estruturas GeO2/Ge neste tipo de atmosfera. Em relação ao grafeno, foi investigada a incorporação de H e O em grafeno monocamada (GMC) depositado sobre substratos SiO2/Si. Dados obtidos por reações nucleares (NRA) e espectroscopia Raman (ER) mostraram que a incorporação destas espécies ocorre por meio de mecanismos distintos, dependendo do intervalo de temparaturas considerado. Além disso, verificou-se que tratamentos térmicos em temperaturas a partir de 600°C provocam a remoção da camada de grafeno, introduzindo defeitos na estrutura remanescente. Ademais, foi possível estabelecer uma associação direta entre a adsorção de contaminantes presentes no ar, como o H2O, e as desordens estruturais identificadas por ER (extensamente abordadas na literatura). Por fim, também foi investigada a formação de grafeno bicamada (GBC) sobre SiC(0001) por meio de intercalação de O via tratamentos térmicos em fluxos gasosos de O2 e/ou H2O. Os experimentos evidenciaram um efeito sinérgico desses agentes oxidantes, promovendo o desacoplamento total da camada de transição (CT) do substrato de SiC. Esse efeito também foi verificado para tratamentos em fluxo de H2O em tempos maiores. Nesse caso, porém, provavelmente há incorporação de H na amostra e degradação do GBC. O desacoplamento do grafeno está relacionado à formação de uma camada de óxido na superfície do SiC. Estes resultados abrem perspectivas animadoras para a produção de estruturas GBC/SiC em larga escala usando a técnica de oxidação úmida padrão.