Filmes de carbeto de silício de alto gap óptico obtidos pela técnica de PECVD.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1994
Autor(a) principal: Paez Carreño, Marcelo Nelson
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-154535/
Resumo: A seguir apresentamos os resultados de nosso estudo sobre as propriedades ópticas, morfológicas e estruturais de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado. As amostras foram crescidas através da técnica de PECVD (Deposição Química a Vapor Ativada por Plasma), a partir de misturas apropriadas de silano e metano. Em este trabalho mostramos a importância do fluxo de silano, além da composição da mistura gasosa, nas propriedades dos filmes. Em particular, estabelecemos a importância da condição de plasma faminto (starving plasma) na obtenção de amostras de carbeto de silício amorfo hidrogenado de alto GAP. Os resultados das medidas ópticas mostram que filmes crescidos sob condições de plasma faminto apresentam maior GAP óptico. Por outro lado, as medidas de caracterização estrutural e morfológica indicam que essa condição de deposição promove o crescimento de um material mais homogêneo, com tendência a ordem química do carbeto de silício cristalino e com menor densidade de microporos. As propriedades estruturais das amostras foram analisadas por espectroscopia de infravermelho e por EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure). O estudo das propriedades morfológicas foi realizado através de medidas de espalhamento de raios-X a baixo ângulo (SAXS), com as quais determinamos a fração relativa em volume de microporos.
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