Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD.

• Ano de defesa: 2002
• Autor(a) principal: Oliveira, Alessandro Ricardo de
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes finos; Silício; Silicon; Thin Films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-095917/

A seguir apresentamos um estudo sobre a dopagem elétrica de filmes de a-Si1-xCx:H quase estequiométricos (x~0,5) obtidos pela técnica PECVD a baixas temperaturas (320´GRAUS´C). Este trabalho se desenvolveu com o intuito de sistematizar e otimizar o estudo da dopagem elétrica deste material, uma vez que trabalhos prévios apresentaram a viabilidade de dopar eficientemente estes filmes de a-SiC:H. As amostras estudadas neste trabalho são dopadas tipo N e tipo P pelas técnicas de implantação iônica e difusão térmica. Para dopagem tipo N utilizamos a implantação iônica de nitrogênio e fósforo, com diferentes doses, energias e tratamentos térmicos pós-implantação. No caso da dopagem tipo P o objetivo foi de otimizar o processo de difusão térmica de alumínio, estudando diferentes temperaturas e tempos recozimento. Também foram feitos testes de dopagem por implantação iônica de boro, uma vez que resultados prévios mostraram que este processo conduz a instabilidades no comportamento elétrico das amostras, e as causas ainda não ficaram bem esclarecidas. Com isso resolvemos realizar novamente a dopagem com este elemento que é de grande interesse tecnológico para se obter uma dopagem tipo P. A dopagem foi avaliada a partir de medidas de condutividade elétrica em função da temperatura, de onde é obtida a energia de ativação e que permite avaliar a eficiência da dopagem elétrica.