Proposta de implantação de membranas em sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento.

• Ano de defesa: 1997
• Autor(a) principal: Furlan, Humber
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Sensores; Sensors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11112024-153519/

Esta dissertação de mestrado, apresenta métodos para obtenção de membranas em substrato de silício para sensores de pressão a elementos piezoresistivos utilizando a técnica de pós-processamento. Para o desenvolvimento deste trabalho foinecessário elaborar os projetos, e organizar uma sala para construção de duas capelas químicas específicas, uma de exaustão e outra com fluxo laminar. A capela de exaustão comporta dois banhos termostatizados para controle de temperatura dosseus respectivos reatores químicos de corrosão anisotrópica. Um reator é utilizado com soluções de KOH e outro com soluções de TMAH. A capela química com fluxo laminar é adequada para processae a limpeza das lâminas ou amostras antes e depois dacorrosão anisotrópica. A limpeza antes da corrosão anisotrópica consiste em condicionar a lâmina para ser imergida na solução de KOH. A limpeza após o processo de corrosão anisotrópica é feita com intuito de retirar todo e qualquer resíduorestante da corrosão, como um exemplo: particulados contendo potássio (K). Foram projetados e fabricados os reatores químicos para a reação de dissolução do silício monocristalino. visando a máximo aproveitamento das soluções e, inclusive,mantendo os valores de suas concentrações no momento de processo. As soluções de KOH utilizadas no processo possuem concentração de 27% em água, sem adição de álcool iso-propílico. Sempre foram utilizadasquantias de 1 litro de solução para queconseguíssemos manter fora de saturação na corrosão, de várias amostras, de uma mesma lâmina de silício, conservando a mesma concentração para diversas temperaturas. Os testes foram feitos com algumas lâminas de 10 a 20\'omega\'cm, 3 polegadas,dopagem de boro e 350 \'mü\'m de espessura e algumas de 2,5 E19\'cm POT. -3\', 2 polegadas dopagem de Boro e 250 \'mü\'m espessura. Foi elaborada uma curva de ajuste para lâminas de alta dopagem, de onde obtivemos os valores de 0,514 e V para energiade ) ativação e 1,22 X \'10 POT. 8\'\'mü\'m/h para o fator pré-exponencial. A partir destes, calculamos 3:30 horas para conseguir um diafragma de 40 \'mü\'m de espessura. Experimentalmente foi obtido um diafragma na espessura de 42 \'mü\'m oqual demonstra que o modelo utilizado é bastante satisfatório. Os filmes que mais se adequaram para proteção do silício, contra as soluções de corrosão anisotrópica, foram os depositados por ECR (Electron Cyclotron Renosance) na UNICAMP e PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) na TELEBRÁS.