Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOFETs operando em altas temperaturas.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1996
Autor(a) principal: Bellodi, Marcello
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Altas temperaturas
Corrente de fuga
High temperatures
Leakage current
Microelectronics
Microeletrônica
Transistores
Transistors
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/
Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo da corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Para o desenvolvimento deste estudo foram utilizados transistores SOI nMOSFETs e SOI pMOSFETs com diferentes condições de polarização e temperatura de operação variando desde a ambiente ate 300\'GRAUS\'c. Desenvolvemos uma metodologia para a obtenção de um modelo empírico da corrente de fuga do dreno dos transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Também foram estudadas as influências das dimensões do comprimento L e da largura W do canal na corrente de fuga do dreno. Os resultados experimentais foram validados através de simulações numéricas bidimensionais realizadas com o simulador numérico MEDICI. Como resultado deste trabalho, foi observado que a corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas é diretamente proporcional a largura do canal e inversamente proporcional ao comprimento de canal para dispositivos cujo comprimento de canal seja até 20µm e para transistores com comprimento de canal superior a 20µm, a corrente de fuga só depende diretamente da largura do canal do transistor.
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