Considerações para o projeto de células de memória SI com transístores HEMT.

• Ano de defesa: 1997
• Autor(a) principal: Lasso Vásquez, Jaime Hernando
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Células de memória em corrente chaveada; Switched current memory cells; Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08112024-094202/

O estado da arte do projeto de circuitos integrados analógicos está recebendo um tremendo impulso da aplicação do processamento analógico a modo corrente e, em particular, de uma técnica analógica discreta alternativa, conhecida como Corrente-Chaveada. Sendo que a célula de memória em corrente chaveada (célula SI) é o bloco fundamental desta técnica, suas características (precisão, velocidade, potência) determinaram o desempenho dos sistemas SI. Na procura de células SI de alto desempenho, este trabalho apresenta, inicialmente, as principais características das células SI com dispositivos HEMT, (High Electron Mobility Transistor) baseando-se na pesquisa desenvolvida para células SI com MOS. É realizada uma análise simples da injeção de carga e do clock feed through para uma chave HEMT, obtendo-se expressões analíticas simples da tensão de erro induzida num capacitor sem considerar nenhuma técnica de compensação e empregando a técnica de compensação dummy. Os resultados obtidos das expressões analíticas são comparados com as tensões de erro obtidas por simulação, confirmando a validade dessa análise e a similaridade com as expressões para chaves MOS. São apresentadas as condições e limitações do projeto de células SI e resultados de simulação das células SI simples e cascode regulada com dispositivos HEMT utilizando o programa IAFSPICE. Sendo que a célula SI cascode regulada foi a de melhor desempenho. Acélula SI aqui projetada do tipo cascode regulada com transistores HEMT para uma frequência de chaveamento de 500Mhz, mostrou um erro da tensão dreno-forte de \'M IND.r\', \'delta\'VdsI, de zero. A tensão porta-fonte apresentou boa compensação, e seu erro, \'delta\'VgsI, foi menor que 10 mV (um erro razoável). O erro na corrente, \'delta\'I, foi da ordem de nA.