Modelamento físico do sistema heterojunção metal e do transistor HEMT.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1997
Autor(a) principal: Rodrigues, Cecilia Wetterlê
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Transistores
Transistors
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28112024-163335/
Resumo: O objetivo deste trabalho foi dar uma contribuição em termos de modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal e do transistor HEMT. Para realizar o modelamento foi desenvolvido um programa - HJMOD - em linguagem FORTRAN. Este programa pode ser dividido em duas partes: na primeira parte o programa obtém para o sistema heteoestrutura-metal a densidade de cargas do gás bidimensional de elétrons. Na segunda parte é obtida para o transistor HEMT as características de corrente no dreno. Na primeira parte do programa são resolvidas autoconsistentemente as equações de Poisson e de Schroedinger. São obtidos, a cada iteração, o potencial, o campo elétrico e a densidade de cargas no gás bidimensional de elétrons do sistema metal-heteroestrutura. Na segunda parte do programa são obtidos para o transistor HEMT, através da resolução autoconsistente das equações de Poisson, de Schroedinger e da continuidade, o potencial, o campo elétrico e a corrente total no sistema. Os resultados obtidos com o programa HJMOD mostram-se em bom acordo com os resultados teóricos e experimentais publicados na literatura.
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