Estudo da formação e das caraterísticas de contatos \'AL\'/\'TI\'w/\'TI\'\'SI IND.2\' sobre junções rasas com aplicação da técnica AES.

• Ano de defesa: 1990
• Autor(a) principal: Furlan, Rogerio
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Electrical engineering; Engenharia elétrica
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08042025-145944/

Apresentamos um estudo dos processos de formação e das características elétricas da estrutura de contato \'AL\'/\'TI\'w/\'TI\'\'SI IND.2\'/\'SI\'. Filmes finos de \'TI\' foram depositados sobre junções rasas previamente formadas pela implantação iônica de \'A IND.5\' ou \'BF IND.2\' e ativação de dopantes por processamento térmico rápido (rtp). O siliceto foi formado por rtp em vácuo. As amostras foram analisadas por medidas com 4 pontas, aes, xrd e rbs. Determinou-se a sequência de formação de fases (\'TI\'\'SI IND.X\' (x\'DA ORDEM DE\'1)- \'TI\'\'SI IND.2\'-c49-\'TI\'\'SI IND.2\'-c54). Verificou-se um atraso na formação da fase \'TI\'\'SI IND.2\'-c49 causado pela presença dos dopantes. Verificou-se um empurramento do \'A IND.5\' para formação com tempos muito curtos e uma perda crescente de \'A IND.5\' com o aumento do tempo e da temperatura. As interações entre a liga \'TI\'w e \'AL\', \'SI\' ou \'TI\'\'SI IND.2\' foram analisadas em função da temperatura e tempo de sinterização por medidas com 4 pontas, aes, xrd e sem. Verificou-se que embora a estrutura \'AL\'/\'TI\'w/\'TI\'\'SI IND.2\' seja termicamente estável até 550\'GRAUS\'c (30 min) o tempo e a temperatura máxima de sinterização devem ser limitados para impedir a degradação da condutancia do \'AL\'. A análise de resistores kelvin de 4 terminais revelou baixa resistividade de contato para junções \'N POT.+\'-P e \'P POT.+\'-N (pc\'< OU =\'\'10 POT.-7\'\'OMEGA\'\'CENTIMETROS QUADRADOS\').