Estudo de filmes finos de In2O3 : Sn por evaporação reativa

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1989
Autor(a) principal: Sassaki, Carlos Alberto
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
EVAPORAÇÃO
FILMES FINOS
Link de acesso: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-20250813-090313/
Resumo: Neste trabalho é estudado o óxido de índio dopa do com estanho ("Indium Tin Oxide" - ITO) na forma de filmes finos. Este material, por apresentar alta transmitância na região visível do espectro eletromagnético e, simultaneamente, alta condutividade elétrica, tem sido aplicado como condutor transparente. Para a obtenção de películas de ITO com estas características, foi construído um sistema de evaporação no Laboratório de Microeletrônica da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo capaz de fornecer deposições por evaporação reativa. Os filmes obtidos foram. caracterizados quanto às suas propriedades ópticas, elétricas e estruturais. Foi estudada a influência dos parâmetros de deposição sobre estas propriedades e uma analise de três formas de tipos de fontes de deposição de alta pureza (mistura de óxidos, liga metálica e coevaporação de metais) foi realizada. A comparação dos resultados deste trabalho com aqueles publicados por outros pesquisadores comprova" a qualidade do equipamento construído e dos filmes obtidos.
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