Modelagem e simulação de processo de produção de triclorosilano para obtenção de silício grau eletrônico.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1994
Autor(a) principal: Pereira, Adriana de Camargo
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Process (Simulation)
Processo (Simulação)
Silício
Silicon
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3137/tde-06082025-111056/
Resumo: A modelagem e simulação de hidrocloração de silício grau metalúrgico foi realizada. O processo pode ser dividido em duas partes principais: o processo reativo e a separação dos produtos. O modelo matemático do reator de leito fluidizado empregado é uma combinação do modelo de bolhas com o de compartimentos. A produção de triclorosilano é favorecida com a diminuição da temperatura e do tamanho de partícula. No processo de separação a eficiência aumenta com o aumento da pressão e do reciclo das colunas de separação. Um estudo de caso foi realizado para uma planta industrial de triclorosilano (grau de pureza 99.9999%) de capacidade de 150 a 200 tons/ano. A simulação mostrou que o diâmetro do reator e a vazão de HCI podem representar um importante parâmetro sob o ponto de vista econômico.
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