Deposição e corrosão de filmes de carbono tipo diamante através de técnicas assistidas por plasma.
| Ano de defesa: | 1999 |
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| Tipo de documento: | Tese |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
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Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
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| País: |
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28112024-101347/ |
Resumo: | Filmes de carbono tipo diamante (DLC) fazem parte de uma família de materiais denominados novos ou avançados, por possuírem propriedades físico-químicas que possibilitam seu uso em diversos ramos da indústria. Entre essas áreas destaca-se a microeletrônica, onde o DLC pode ser usado como dielétrico para capacitores devido sua alta resistividade elétrica, como camada de passivação devido sua inércia química, ou ainda, como cobertura para micro-máquinas em função de seu baixo coeficiente de atrito. Sua aplicação como material em dispositivos microeletrônicos foi a principal motivação para a realização desse trabalho, levando-nos, portanto, a estudar não apenas os mecanismos relativos à sua síntese, mas também os relativos à sua corrosão. Filmes de DLC hidrogenados (a-C:H) e não-hidrogenados (a-C) foram produzidos através de um sistema do tipo \"magnetron sputtering\", usando alvo de grafite com 99,999% de pureza. Durante este estudo foi verificada a influência da temperatura do substrato (na faixa de 50 a 300\'GRAUS\'C), da vazão de hidrogênio adicionada à descarga (de 0 a 2,5sccm) e da potência da descarga elétrica (de 70W a 200W) sobre as propriedades físico-químicas dos filmes. Valores típicos da taxa de deposição estão na faixa de 2nm/min a 20nm/min. Iniciando a apresentação dos resultados com os filmes não-hidrogenados, verificou-se que suas deposições feitas com temperaturas próximas as do ambiente deramorigem aos filmes com melhores características elétricas (resistividade elétrica de 2.10\'POT.5\' \'ÔMEGA\'.cm e constante dielétrica de 2,5), entretanto os altos valores de tensão interna (9,6GPa) inviabilizaram esta condição de trabalho. Adicionando-se hidrogênio à descarga elétrica, foi verificada a diminuição dessa tensão interna para valores suficientemente baixos, tais que evitaram seu desprendimento do substrato. Além disso, foi verificado um aumento em quatro ordens de grandeza no valor da resistividade elétrica do filme, enquanto que sua constante dielétrica permaneceu praticamente inalterada em 3,2. Variando-se a vazão de hidrogênio adicionada a descarga de zero até 1,5 sccm, verificou-se uma redução de 50% nos valores de rugosidade (rms) do filme (de 0,41nm para 0,20nm). Em relação à potência elétrica aplicada à descarga vimos que seu aumento de 70W para 150W provoca um aumento na não-uniformidade no perfil radial da taxa de deposição de 18% para 35%. Parte dos filmes depositados foi submetida à corrosão por plasma de oxigênio em um reator do tipo \"reactive ion etching\" (RIE). Nesses processos foram obtidos perfis praticamente verticais para pressão de trabalho de 50mTorr em toda a faixa de potência rf que se utilizou (de 50W a 150W), tanto para os filmes a-C quanto para os a-C:H. As taxas de corrosão variaram de 70nm/min a 380nm/min, para a mesma faixa de potência e alterando-se a pressão de oxigênio de 50mTorraté 150mTorr. Através da variação do tempo de exposição dos filmes à corrosão por plasma foi observada a existência de duas fases tanto nos filmes do tipo a-C quanto nos do tipo a-C:H, cada qual com uma taxa de corrosão característica. Foi verificado também qua há um valor ótimo no grau de hidrogenização dos filmes para o qual há uma minimização na taxa de corrosão. Este comportamento deve estar relacionado com a concentração relativa entre as duas fases existentes no filme. Finalmente, vimos que a faixa de trabalho das variáveis de controle de ambos os processos estudados nesta tese foi suficiente para que as características dos filmes variassem significativamente, possibilitando-nos ajustá-las de acordo com o propósito desejado para a utilização desse material. |
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Deposição e corrosão de filmes de carbono tipo diamante através de técnicas assistidas por plasma.Untitled in englishCarbon filmsCorrosãoCorrosionFilmes de carbonoPlasmaPlasmaFilmes de carbono tipo diamante (DLC) fazem parte de uma família de materiais denominados novos ou avançados, por possuírem propriedades físico-químicas que possibilitam seu uso em diversos ramos da indústria. Entre essas áreas destaca-se a microeletrônica, onde o DLC pode ser usado como dielétrico para capacitores devido sua alta resistividade elétrica, como camada de passivação devido sua inércia química, ou ainda, como cobertura para micro-máquinas em função de seu baixo coeficiente de atrito. Sua aplicação como material em dispositivos microeletrônicos foi a principal motivação para a realização desse trabalho, levando-nos, portanto, a estudar não apenas os mecanismos relativos à sua síntese, mas também os relativos à sua corrosão. Filmes de DLC hidrogenados (a-C:H) e não-hidrogenados (a-C) foram produzidos através de um sistema do tipo \"magnetron sputtering\", usando alvo de grafite com 99,999% de pureza. Durante este estudo foi verificada a influência da temperatura do substrato (na faixa de 50 a 300\'GRAUS\'C), da vazão de hidrogênio adicionada à descarga (de 0 a 2,5sccm) e da potência da descarga elétrica (de 70W a 200W) sobre as propriedades físico-químicas dos filmes. Valores típicos da taxa de deposição estão na faixa de 2nm/min a 20nm/min. Iniciando a apresentação dos resultados com os filmes não-hidrogenados, verificou-se que suas deposições feitas com temperaturas próximas as do ambiente deramorigem aos filmes com melhores características elétricas (resistividade elétrica de 2.10\'POT.5\' \'ÔMEGA\'.cm e constante dielétrica de 2,5), entretanto os altos valores de tensão interna (9,6GPa) inviabilizaram esta condição de trabalho. Adicionando-se hidrogênio à descarga elétrica, foi verificada a diminuição dessa tensão interna para valores suficientemente baixos, tais que evitaram seu desprendimento do substrato. Além disso, foi verificado um aumento em quatro ordens de grandeza no valor da resistividade elétrica do filme, enquanto que sua constante dielétrica permaneceu praticamente inalterada em 3,2. Variando-se a vazão de hidrogênio adicionada a descarga de zero até 1,5 sccm, verificou-se uma redução de 50% nos valores de rugosidade (rms) do filme (de 0,41nm para 0,20nm). Em relação à potência elétrica aplicada à descarga vimos que seu aumento de 70W para 150W provoca um aumento na não-uniformidade no perfil radial da taxa de deposição de 18% para 35%. Parte dos filmes depositados foi submetida à corrosão por plasma de oxigênio em um reator do tipo \"reactive ion etching\" (RIE). Nesses processos foram obtidos perfis praticamente verticais para pressão de trabalho de 50mTorr em toda a faixa de potência rf que se utilizou (de 50W a 150W), tanto para os filmes a-C quanto para os a-C:H. As taxas de corrosão variaram de 70nm/min a 380nm/min, para a mesma faixa de potência e alterando-se a pressão de oxigênio de 50mTorraté 150mTorr. Através da variação do tempo de exposição dos filmes à corrosão por plasma foi observada a existência de duas fases tanto nos filmes do tipo a-C quanto nos do tipo a-C:H, cada qual com uma taxa de corrosão característica. Foi verificado também qua há um valor ótimo no grau de hidrogenização dos filmes para o qual há uma minimização na taxa de corrosão. Este comportamento deve estar relacionado com a concentração relativa entre as duas fases existentes no filme. Finalmente, vimos que a faixa de trabalho das variáveis de controle de ambos os processos estudados nesta tese foi suficiente para que as características dos filmes variassem significativamente, possibilitando-nos ajustá-las de acordo com o propósito desejado para a utilização desse material.Diamond-like carbon (DLC) films have been studied intensively because of their interesting physical-chemical properties and their potential applicability to a wide range of high-technology fields. In the microelectronics industry, these films have a great potential as gate dielectric, intermetal dielectric and coating to micromachine. The use of this material for microelectronic devices motivated this work being necessary for this purpose to study not only the deposition mechanisms but also the etching characteristics of DLC films grown on silicon substrates. Hydrogenated (a-C:H) and non-hydrogenated (a-C:H) DLC films have been deposited by a magnetron sputtering system, using a 99,999% pure graphite target. In this study it was considered the influence of substrate temperature (from 50°C to 300°C), hydrogen flow content (from 0 to 2.5 sccm) and electric power of the discharge (from 70 to 200W) on the physical-chemical properties of the films. Typical values of the deposition rate are in the range of 2 nm/min to 20 nm/min. The electrical properties of the non-hydrogenated films were measured for DLC films and the best results were obtained for films deposited near room temperature: electrical resistivity of 2.105 .cm and dielectric constant of 2.5. However, high values of stress (of about 9.6 GPa) hindered the use of his process condition. Adding hydrogen up tp 30% on the electrical discharge promotes hydrogenation of the DLC films and a decreasing in the stress to values which were low enough to avoid the delamination of the film from the substrate. It was also observed an increase of four orders of magnitude in the electrical resistivity, while the dielectric constant kept unaltereted at about 3.2. A reduction of the rms roughness of the films in 50% (from 0.41 nm to 0.20 nm) was obtained when the hydrogen flow in the sputtering system was increased of zero to 1.5 sccm. An increase of theelectric power of the discharge from 70W to 150W promotes an increases from 18% to 35% in the non-uniformity of the radial deposition rate. A batch of DLC films was submitted to an oxygen reactive ion etching (RIE). Nearly vertical walls were obtained in a-C and a-C:H films with 50 nTorr etching processes, when increasing the power from 50 to 150 W. Etch rates of 70 nm/min to 380 nm/min were obtained in this range of electrical power and (50 150) mTorr O2 pressure range. The analysis of the etching process revealed that the DLC films, being it hydrogenated or not, comprise two different structural phases, each one having a respective etch rate. An optimum point in the degree of hydrogenation of the films was shown to exist, which corresponds to a minimum of the etch rate. This behavior is probably correlated to the relative concentration of the different structural phase presented in the films. Finally, it can be concluded that the range of values of the operational variables used in these studies of deposition and etching of DLC films has made evident the wide range of their physical-chemical properties, thus making possible to choose optimal process conditions to attend a special purpose of application of this material.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPMaciel, Homero SantiagoVerdonck, Patrick BernardMassi, Marcos1999-06-18info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28112024-101347/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-11-28T12:19:02Zoai:teses.usp.br:tde-28112024-101347Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-11-28T12:19:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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Filmes de carbono tipo diamante (DLC) fazem parte de uma família de materiais denominados novos ou avançados, por possuírem propriedades físico-químicas que possibilitam seu uso em diversos ramos da indústria. Entre essas áreas destaca-se a microeletrônica, onde o DLC pode ser usado como dielétrico para capacitores devido sua alta resistividade elétrica, como camada de passivação devido sua inércia química, ou ainda, como cobertura para micro-máquinas em função de seu baixo coeficiente de atrito. Sua aplicação como material em dispositivos microeletrônicos foi a principal motivação para a realização desse trabalho, levando-nos, portanto, a estudar não apenas os mecanismos relativos à sua síntese, mas também os relativos à sua corrosão. Filmes de DLC hidrogenados (a-C:H) e não-hidrogenados (a-C) foram produzidos através de um sistema do tipo \"magnetron sputtering\", usando alvo de grafite com 99,999% de pureza. Durante este estudo foi verificada a influência da temperatura do substrato (na faixa de 50 a 300\'GRAUS\'C), da vazão de hidrogênio adicionada à descarga (de 0 a 2,5sccm) e da potência da descarga elétrica (de 70W a 200W) sobre as propriedades físico-químicas dos filmes. Valores típicos da taxa de deposição estão na faixa de 2nm/min a 20nm/min. Iniciando a apresentação dos resultados com os filmes não-hidrogenados, verificou-se que suas deposições feitas com temperaturas próximas as do ambiente deramorigem aos filmes com melhores características elétricas (resistividade elétrica de 2.10\'POT.5\' \'ÔMEGA\'.cm e constante dielétrica de 2,5), entretanto os altos valores de tensão interna (9,6GPa) inviabilizaram esta condição de trabalho. Adicionando-se hidrogênio à descarga elétrica, foi verificada a diminuição dessa tensão interna para valores suficientemente baixos, tais que evitaram seu desprendimento do substrato. Além disso, foi verificado um aumento em quatro ordens de grandeza no valor da resistividade elétrica do filme, enquanto que sua constante dielétrica permaneceu praticamente inalterada em 3,2. Variando-se a vazão de hidrogênio adicionada a descarga de zero até 1,5 sccm, verificou-se uma redução de 50% nos valores de rugosidade (rms) do filme (de 0,41nm para 0,20nm). Em relação à potência elétrica aplicada à descarga vimos que seu aumento de 70W para 150W provoca um aumento na não-uniformidade no perfil radial da taxa de deposição de 18% para 35%. Parte dos filmes depositados foi submetida à corrosão por plasma de oxigênio em um reator do tipo \"reactive ion etching\" (RIE). Nesses processos foram obtidos perfis praticamente verticais para pressão de trabalho de 50mTorr em toda a faixa de potência rf que se utilizou (de 50W a 150W), tanto para os filmes a-C quanto para os a-C:H. As taxas de corrosão variaram de 70nm/min a 380nm/min, para a mesma faixa de potência e alterando-se a pressão de oxigênio de 50mTorraté 150mTorr. Através da variação do tempo de exposição dos filmes à corrosão por plasma foi observada a existência de duas fases tanto nos filmes do tipo a-C quanto nos do tipo a-C:H, cada qual com uma taxa de corrosão característica. Foi verificado também qua há um valor ótimo no grau de hidrogenização dos filmes para o qual há uma minimização na taxa de corrosão. Este comportamento deve estar relacionado com a concentração relativa entre as duas fases existentes no filme. Finalmente, vimos que a faixa de trabalho das variáveis de controle de ambos os processos estudados nesta tese foi suficiente para que as características dos filmes variassem significativamente, possibilitando-nos ajustá-las de acordo com o propósito desejado para a utilização desse material. |
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