Estudo e caracterização da corrosão de silício com plasma de CBrF3 e medidas de propriedades do plasma com sondas de Langmuir.
| Ano de defesa: | 1992 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
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Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
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| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012025-092508/ |
Resumo: | A corrosão por plasma tem sido largamente utilizada na indústria microeletrônica, nas etapas de transferência de padrões. Particularmente, a corrosão de silício é utilizada para obtenção de trincheiras que encontram aplicação em capacitores utilizados em memórias e em isolações de dispositivos em circuitos integrados de alta integração. Com o objetivo de estabelecer um processo de corrosão de silício, foi feita a caracterização deste, utilizando-se o plasma de bromo-trifluor-metano e variando-se as condições de pressão, potência, vazão e composição. Corrosões anisotrópicas resultando perfis adequados as aplicações foram obtidas. A técnica de medida de propriedades do plasma com sondas de Langmuir foi demonstrada, utilizando-se uma sonda auto-compensada. A densidade de íon, a temperatura de elétron, o potencial de plasma e o potencial flutuante foram medidos para os plasmas de argônio, hélio, hidrogênio, oxigênio e nitrogênio, em função da pressão, potência, vazão e posição da sonda. Finalmente, a aplicação da sonda de Langmuir no estudo da corrosão por plasma foi mostrada, para o caso particular da corrosão de polímeros com plasma de oxigênio. |
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Estudo e caracterização da corrosão de silício com plasma de CBrF3 e medidas de propriedades do plasma com sondas de Langmuir.Untitled in englishCorrosãoCorrosionPlasmaPlasmaA corrosão por plasma tem sido largamente utilizada na indústria microeletrônica, nas etapas de transferência de padrões. Particularmente, a corrosão de silício é utilizada para obtenção de trincheiras que encontram aplicação em capacitores utilizados em memórias e em isolações de dispositivos em circuitos integrados de alta integração. Com o objetivo de estabelecer um processo de corrosão de silício, foi feita a caracterização deste, utilizando-se o plasma de bromo-trifluor-metano e variando-se as condições de pressão, potência, vazão e composição. Corrosões anisotrópicas resultando perfis adequados as aplicações foram obtidas. A técnica de medida de propriedades do plasma com sondas de Langmuir foi demonstrada, utilizando-se uma sonda auto-compensada. A densidade de íon, a temperatura de elétron, o potencial de plasma e o potencial flutuante foram medidos para os plasmas de argônio, hélio, hidrogênio, oxigênio e nitrogênio, em função da pressão, potência, vazão e posição da sonda. Finalmente, a aplicação da sonda de Langmuir no estudo da corrosão por plasma foi mostrada, para o caso particular da corrosão de polímeros com plasma de oxigênio.Plasma etching has been widely used in microelectronic industry, for pattern transfer steps. Particularly, the silicon etching is used to obtain trenches which find applications in memory cells and device isolations in highly integrated circuits. To establish a silicon etching process, its characterization has been carried out in bromotrifluoromethane plasma, as a function of pressure, power, gas flow rate and composition. Anisotropic etching of silicon resulting profiles suitable for applications has been obtained. The plasma diagnostic technique using Langmuir probes has been demonstrated using a self-compensated probe. The ion density, electron temperature, plasma potential and floating potential have been measured for argon, helium, hydrogen, oxygen and nitrogen plasmas, as a function of pressure, power, gas flow rate and probe position. Finally, an application of the Langmuir Probe to the study of plasma etching has been shown, for the case of polymers etching with oxygen plasma.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPMaciel, Homero SantiagoYamamoto, Roberto Katsuhiro1992-11-19info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012025-092508/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-01-09T11:31:02Zoai:teses.usp.br:tde-09012025-092508Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-01-09T11:31:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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