Estudo do crescimento lateral de silicetos e formação do siliceto de cobalto sobre silício altamente dopado.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1991
Autor(a) principal: Oka, Mauricio Massazumi
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Microelectronics
Microeletrônica
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-084819/
Resumo: Neste trabalho foram abordados dois aspectos dos silicetos: o crescimento lateral e a formação do siliceto sobre substrato altamente dopado. O estudo do crescimento lateral do siliceto de \'TI\' indica a necessidade da formação em duas etapas, intermediadas por uma remoção seletiva do \'TI\' não reagido, sendo a temperatura da primeira etapa de, no máximo, 600\'GRAUS\'c, para evitar o crescimento lateral. Com o siliceto de \'CO\' observamos um crescimento lateral comparável ao do siliceto de \'TI\', ao contrário do esperado. Sugerimos a sua formação em duas etapas, de forma similar ao caso do siliceto de \'TI\'. Observamos que os dopantes presentes no substrato de \'SI\' afetam a cinética de formação de siliceto. O \'AS\' parece atrasar a formação do siliceto enquanto que o BF2 parece adiantá-la. A análise RBS mostra ainda que usando uma única etapa de sinterização, de 600\'GRAUS\'c/60s ou de 700\'GRAUS\'/30s, fomos bem sucedidos em obter uma junção rasa, com concentração de pico de \'AS\' superior a \'1.10 POT.19\' at/\'CENTIMETROS CUBICOS\' sob o siliceto.
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