Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM).

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1998
Autor(a) principal: Hasan, Nasser Mahmoud
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Morfologia
Morphology
Roughness
Rugosidade
Siliceto de titânio
Titanium silicide
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-114106/
Resumo: Estudamos a influência do processo de deposição de filmes de TI (evaporação ou \"sputtering\") e das receitas de recozimentos com diferentes rampas de aquecimento na morfologia do siliceto de titânio sobre TI (100). As receitas de recozimento consistiram de dois tipos de rampas inicias de aquecimento (rápido ou lento) desde a temperatura ambiente até temperaturas entre seiscentos e cinqüenta a oitocentos e cinqüenta graus Celsius, seguido por: resfriamento natural, ou patamar isotérmico em um intervalo de tempo ou uma rampa com inclinação diferente (lenta ou rápida) seguido por patamar de oitocentos e cinqüenta graus Celsius. Esses recozimentos foram feitos em fornos de processamento térmico rápido e em ambiente de nitrogênio. Utilizamos diversas técnicas de caracterização para obter os seguintes parâmetros: rugosidade de superfície e de interface, raios médios de grãos, descontinuidade dos filmes, fases e resitência de folha. Com relação aos perfis temporais de temperatura e filmes evaporados de titânio sobre SI (100), verificamos que os filmes de siliceto de titânio apresentaram baixos valores de raios médios de grãos e regiões exposta de silício, quando a rampa de aquecimento era lenta. Entretanto, a superfície de siliceto de titânio apresentou raios médios de grãos maiores comparados com o caso lento quando a rampa de aquecimento era rápida. Com relação ao processo de deposição, verificamos que osfilmes de siliceto de titânio apresentaram baixos valores de rugosidade, de raios médios de grãos e sem regiões exposta de silício, quando o filme de titânio era depositado por \"sputtering\" e utilizando rampa com subida lenta.
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