Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1990
Autor(a) principal: Rotondaro, Antonio Luis Pacheco
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Cobalt
Cobalto
Silicetes
Silicetos
Titânio
Titanium
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06012025-115024/
Resumo: Caracterizamos um equipamento de espirramento catódico modelo eg10 da edwards high vacuum, determinando as condições de deposição que produzem filmes de titânio e cobalto de baixa resistividade e taxa de deposição adequada a obtenção de filmes de 400a, necessários para formação de siliceto. Variamos a pressão de trabalho do sistema na faixa de 3,0x\'10 POT.-3\'mbar a 60,0x\'10 POT.-3\'mbar e a potência de rf aplicada ao catodo de 400w a 1000w. A pressão de trabalho afeta a estrutura e o nível de incorporação de contaminantes dos filmes causando um mínimo de resistividade em 20,0x\'10 POT.-3\'mbar. A taxa de deposição cresce com a pressão atá saturar a partir de 30,0x\'10 POT.-3\'mbar. A potência de rf aplicada ao catodo produz o aumento da taxa de deposição associada a obtenção de um mínimo de resistividade em 800w. Monitoramos com uma sonda de langmuir a densidade de íons, a temperatura de eletron e o potencial de plasmas nas condições ensaiadas de processo. O plasma torna-se mais denso, sem que ocorra variação de seu potencial, mas com uma acentuada redução da temperatura de eletrons com o aumento da pressão. A descarga tem a sua densidade, seu potencial e a temperatura de eletrons aumentada com a potência de rf aplicada ao catodo.
id USP_5e7411d676a10e4a1a458c664b2fec73
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-06012025-115024
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str
spelling Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.Untitled in englishCobaltCobaltoSilicetesSilicetosTitânioTitaniumCaracterizamos um equipamento de espirramento catódico modelo eg10 da edwards high vacuum, determinando as condições de deposição que produzem filmes de titânio e cobalto de baixa resistividade e taxa de deposição adequada a obtenção de filmes de 400a, necessários para formação de siliceto. Variamos a pressão de trabalho do sistema na faixa de 3,0x\'10 POT.-3\'mbar a 60,0x\'10 POT.-3\'mbar e a potência de rf aplicada ao catodo de 400w a 1000w. A pressão de trabalho afeta a estrutura e o nível de incorporação de contaminantes dos filmes causando um mínimo de resistividade em 20,0x\'10 POT.-3\'mbar. A taxa de deposição cresce com a pressão atá saturar a partir de 30,0x\'10 POT.-3\'mbar. A potência de rf aplicada ao catodo produz o aumento da taxa de deposição associada a obtenção de um mínimo de resistividade em 800w. Monitoramos com uma sonda de langmuir a densidade de íons, a temperatura de eletron e o potencial de plasmas nas condições ensaiadas de processo. O plasma torna-se mais denso, sem que ocorra variação de seu potencial, mas com uma acentuada redução da temperatura de eletrons com o aumento da pressão. A descarga tem a sua densidade, seu potencial e a temperatura de eletrons aumentada com a potência de rf aplicada ao catodo.We enhanced the performance of a sputter deposition equipment, model E610 from Edwards High Vacuum. finding the working conditions which produce titanium and cobalt thin films of low resistivity and adequate deposition rate for obtaining 400 A films, used for silicide formation. We studied ~he resistivity and deposition rate behavior when we varied the working pressure from 3.0 10-9 mbar to 60,0 10-9 mbar, and the RF power applied to the cathode from 400 W to 1000 W. We observed that the working pressure affects the structure and the contamination level of the deposited films, causing a minimum of its resistivity for pressures of 20,0 10-9 mbar. The deposition rate grows until it saturates at pressures of 30,0 10-9 mbar. The power applied to the cathode produces a continuous increase of the deposition rate and a minimum of the resistivity at 800 W. The plasma becomes denser, without a significant variation in its potential. and the electron temperature decreases as the pressure is increased. The ion density, the plasma potential and the electron temperature increase with the power applied to the cathode. We set the pressure of 20.0 10-9 mbar and the power of 800 W as the ideal parameters to be used in our deposition processes, leading to titanium films with resistivity of 101.2 µcm and deposition rate of 71.7 A/min. and to cobalt films with resistivity of 16.0 µcm and deposition rate of 98.1 A/min. A new substrate holder was manufactured and installed, producing films with less than 3.0 % of variation in its caracteristics over the wafers.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPMaciel, Homero SantiagoRotondaro, Antonio Luis Pacheco1990-12-11info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06012025-115024/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-01-06T13:58:02Zoai:teses.usp.br:tde-06012025-115024Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-01-06T13:58:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
Untitled in english
title Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
spellingShingle Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
Rotondaro, Antonio Luis Pacheco
Cobalt
Cobalto
Silicetes
Silicetos
Titânio
Titanium
title_short Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
title_full Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
title_fullStr Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
title_full_unstemmed Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
title_sort Otimização de um processo de deposição de titânio e cobalto por espirramento catódico visando a formação de silicetos.
author Rotondaro, Antonio Luis Pacheco
author_facet Rotondaro, Antonio Luis Pacheco
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Maciel, Homero Santiago
dc.contributor.author.fl_str_mv Rotondaro, Antonio Luis Pacheco
dc.subject.por.fl_str_mv Cobalt
Cobalto
Silicetes
Silicetos
Titânio
Titanium
topic Cobalt
Cobalto
Silicetes
Silicetos
Titânio
Titanium
description Caracterizamos um equipamento de espirramento catódico modelo eg10 da edwards high vacuum, determinando as condições de deposição que produzem filmes de titânio e cobalto de baixa resistividade e taxa de deposição adequada a obtenção de filmes de 400a, necessários para formação de siliceto. Variamos a pressão de trabalho do sistema na faixa de 3,0x\'10 POT.-3\'mbar a 60,0x\'10 POT.-3\'mbar e a potência de rf aplicada ao catodo de 400w a 1000w. A pressão de trabalho afeta a estrutura e o nível de incorporação de contaminantes dos filmes causando um mínimo de resistividade em 20,0x\'10 POT.-3\'mbar. A taxa de deposição cresce com a pressão atá saturar a partir de 30,0x\'10 POT.-3\'mbar. A potência de rf aplicada ao catodo produz o aumento da taxa de deposição associada a obtenção de um mínimo de resistividade em 800w. Monitoramos com uma sonda de langmuir a densidade de íons, a temperatura de eletron e o potencial de plasmas nas condições ensaiadas de processo. O plasma torna-se mais denso, sem que ocorra variação de seu potencial, mas com uma acentuada redução da temperatura de eletrons com o aumento da pressão. A descarga tem a sua densidade, seu potencial e a temperatura de eletrons aumentada com a potência de rf aplicada ao catodo.
publishDate 1990
dc.date.none.fl_str_mv 1990-12-11
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06012025-115024/
url https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06012025-115024/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1865492206838611968

Registros relacionados