Implante de prótons em diodos de potência para a redução de QRR.

• Ano de defesa: 1993
• Autor(a) principal: Nori, Fábio
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Diodos de potência; Power diodes
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-082029/

Este trabalho estuda as alterações das características elétricas de diodos p-\'NI\'-n de potência, especialmente QRR e VF, quando são sujeitos a um implante de prótons. O enfoque dado ao tratamento do problema é prático, visando o uso dos componentes processados em circuitos de potência, por isto introduz-se um circuito em que é usado um diodo de potência. Desta forma as características elétricas exigidas para este tipo de componente surgem naturalmente. Como o principal parâmetro afetado pelo implante de prótons e o tempo de vida dos portadores na região \'N POT.-\'. É apresentada uma revisão do comportamento de diodos de potência em função do tempo de vida dos portadores, com vistas ao processo utilizado. É feito um estudo crítico dos meios disponíveis para o processamento das amostras, a partir da qual são determinadas algumas características do sistema de irradiação. A partir dos resultados obtidos das amostras irradiadas é criticado o processo com relação a sua adequação a produção de componentes de potência rápidos e, também conclui-se que os resultados obtidos são validos e significativos, aplicáveis a estudos posteriores.