Influência do conteúdo de carbono nos materiais de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-\'IND.1-X SI\'\'IND.X C\'h).

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1990
Autor(a) principal: Onmori, Roberto Koji
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05022025-112504/
Resumo: O presente trabalho visa a obtenção de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-\'SI IND.1-X\'\'C IND.X\':h) com um reator de Desarga Luminosa (DL) do laboratório de microeletrônica da Universidade de São Paulo (lME-USP). Uma sequência de caracterizações ópticas, elétricas e composicionais foi realizada para acompanhar a evolução da incorporação de carbono nos filmes na fase sólida em função da pressão parcial de metano e da densidade de pot~encia do RF. A efeiciência da incorporação do carbono foi estudada a partir da espectroscopia de eletrons AUGER. Com a espectroscopia de infravermelho, foram analisadas os tipos de ligações possíveis do carbono com hidrogênio e silício. A estabilidade das ligações foi verificada submetendo-se as amostras a tratamentos térmicos. A possibilidade de desenvolvimento de filmes de a-\'SI IND.1-X\'\'C IND.X\':h com alta resistividade, baixa densidade de estados e transparências elevadas permitiu o uso do material estudado em alguns dispositivos fotovoltáicos e eletrônicos.
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