Estudo sobre a formação da solução sólida em filmes finos de zrn+si depositados via magnetron sputtering reativo

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2023
Autor(a) principal: Santos, Júlio César Valeriano dos
Orientador(a): Tentardini, Eduardo Kirinus
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Filmes finos
Solução sólida
ZrN
Si3N4
Palavras-chave em Inglês:
Magnetron sputtering
Magnetron sputtering reativo
Thin films
Solid solution
Reactive magnetron sputtering
Área do conhecimento CNPq:
ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA
Link de acesso: https://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/17932
Resumo: ZrN thin films with 1.6% Si addition were deposited via reactive magnetron sputtering and characterized by RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS and high temperature oxidation tests, aiming to investigate how structurally silicon is inserted in ZrN matrix. GAXRD analyses show a reduction in lattice parameter and grain size due to Si incorporation and XPS analyses demonstrate Si is present in nitride form. Such observations suggest the non-formation of substitutional or interstitial solid solution with ZrN, but the presence of Si3N4, even in low Si concentrations.
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Such observations suggest the non-formation of substitutional or interstitial solid solution with ZrN, but the presence of Si3N4, even in low Si concentrations.Filmes finos de ZrN com adição de 1,6% de Si foram depositados via magnetron sputtering reativo e caracterizados por RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS e testes de oxidação em alta temperatura, visando investigar como estruturalmente o silício é inserido na matriz de ZrN. As análises GAXRD mostram uma redução no parâmetro de rede e no tamanho de grão devido à incorporação de Si e as análises XPS demonstram que o Si está presente na forma de nitreto. Tais observações sugerem a não formação de solução sólida substitucional ou intersticial com ZrN, mas a presença de Si3N4, mesmo em baixas concentrações de Si.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPESSão CristóvãoporFilmes finosSolução sólidaZrNSi3N4Magnetron sputteringMagnetron sputtering reativoThin filmsSolid solutionReactive magnetron sputteringENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICAEstudo sobre a formação da solução sólida em filmes finos de zrn+si depositados via magnetron sputtering reativoStudy on the formation of the solid solution in zrn+si thin films deposited via reactive magnetron sputteringinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisPós-Graduação em Ciência e Engenharia de MateriaisUniversidade Federal de Sergipe (UFS)reponame:Repositório Institucional da UFSinstname:Universidade Federal de Sergipe (UFS)instacron:UFSinfo:eu-repo/semantics/openAccessLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81475https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/17932/1/license.txt098cbbf65c2c15e1fb2e49c5d306a44cMD51ORIGINALJULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdfJULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdfapplication/pdf1129885https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/17932/2/JULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdf2764f4f71ee1e5c65a11754527568d89MD52TEXTJULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdf.txtJULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdf.txtExtracted texttext/plain77408https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/17932/3/JULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdf.txt2beabd21cd8a52a9b0114de8e4e62a4eMD53THUMBNAILJULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdf.jpgJULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1258https://ri.ufs.br/jspui/bitstream/riufs/17932/4/JULIO_CESAR_VALERIANO_SANTOS.pdf.jpg15389b790e7efaaa8b01d24010848804MD54riufs/179322023-08-23 21:13:57.243oai:ufs.br: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Repositório InstitucionalPUBhttps://ri.ufs.br/oai/requestrepositorio@academico.ufs.bropendoar:2023-08-24T00:13:57Repositório Institucional da UFS - Universidade Federal de Sergipe (UFS)false
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