Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2007
Autor(a) principal: Delatorre, Rafael Gallina
Orientador(a): Pasa, Andre Avelino
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Florianópolis, SC
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Link de acesso: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/90272
Resumo: Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física.
id UFSC_49e222f46d48edbe189fbc2af83fda1c
oai_identifier_str oai:repositorio.ufsc.br:123456789/90272
network_acronym_str UFSC
network_name_str Repositório Institucional da UFSC
repository_id_str
spelling Universidade Federal de Santa CatarinaDelatorre, Rafael GallinaPasa, Andre Avelino2012-10-23T07:56:08Z2012-10-23T07:56:08Z20072007261775http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/90272Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física.O Transistor de base metálica (TBM) é um tipo especial de transistor idealizado e desenvolvido no início da década de 1960, que possui potencial interesse no desenvolvimento atual de dispositivos spintrônicos. O objetivo principal desta tese é desenvolver e caracterizar um TBM tipo p fabricado inteiramente por eletrodeposição, buscando potenciais aplicações na área de spintrônica. A grande variedade de materiais que vêm sendo fabricados por eletrodeposição aumenta significativamente o interesse no estabelecimento desta técnica como alternativa simples e de baixo custo na preparação de filmes finos de alta qualidade. As propriedades elétricas das camadas eletrodepositadas vêm renovando o interesse da indústria nesta técnica, principalmente para aplicações de alta tecnologia. A estrutura do transistor estudado nesta tese é montada pela eletrodeposição sucessiva de um filme metálico, que pode ser Co ou Cu, na superfície de Si tipo p monocristalino, e de óxido Cu2O na superfície do filme metálico. Esta montagem caracteriza uma estrutura semicondutor - metal - semicondutor devido às propriedades naturais de semicondutor tipo p do Cu2O. As eletrodeposições do óxido semicondutor foram conduzidas potenciostaticamente, promovendo reações eletroquímicas de redução, através de eletrólito com sal de cobre e ácido lático em pH superior a 10, em condições ambientes. As eletrodeposições dos filmes metálicos em Si-p necessitaram da aplicação de luz durante os processos, devido às propriedades de condução do substrato tipo p de Si. Os potenciais de deposição encontrados para a formação da fase Cu2O foram sempre menos negativos que -0,60 V em relação ao eletrodo de referência, caracterizados por baixas taxas de deposição. A estrutura típica de TBM foi caracterizada quanto à composição e a morfologia por espectrometria de retro-espalhamento Rutherford, espectroscopia Raman, difração de raios X e microscopia de força atômica. Os dispositivos foram caracterizados eletricamente através de medidas de curvas de transistor e medidas a dois terminais. Os transistores eletrodepositados apresentaram propriedades dependentes das características da base metálica e do óxido emissor, com ganhos de corrente nas configurações base comum e emissor comum baseados no transporte de buracos através da base metálica. Os altos ganhos de corrente em base comum, aliados com informações obtidas pelas caracterizações morfológicas da base e das medidas elétricas, classificam nestes casos que os dispositivos apresentam um comportamento típico de transistor de base permeável. A investigação das propriedades magnéticas da base demonstrou que a corrente elétrica que atravessa os dispositivos é polarizada em spin, com ganho de corrente dependente da aplicação de campo magnético. Esta propriedade inclui o transistor eletrodepositado no grupo dos dispositivos spintrônicos.167 f.| il., grafs., tabs.porFlorianópolis, SCFísicaMateria condensadaEletrodeposicaoFilmes finosSemicondutoresTransistor de base metálica tipo "p" eletrodepositadoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINAL261775.pdfapplication/pdf2136198https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90272/1/261775.pdf74719dc2d73558d5578009c815cc0580MD51TEXT261775.pdf.txt261775.pdf.txtExtracted Texttext/plain204093https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90272/2/261775.pdf.txt94575e7f794b343290f664ed2ce8b076MD52THUMBNAIL261775.pdf.jpg261775.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1407https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90272/3/261775.pdf.jpg54e98322bdc94221b70ebb9b199912b5MD53123456789/902722013-05-02 18:33:34.244oai:repositorio.ufsc.br:123456789/90272Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestsandra.sobrera@ufsc.bropendoar:23732013-05-02T21:33:34Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
title Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
spellingShingle Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
Delatorre, Rafael Gallina
Física
Materia condensada
Eletrodeposicao
Filmes finos
Semicondutores
title_short Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
title_full Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
title_fullStr Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
title_full_unstemmed Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
title_sort Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
author Delatorre, Rafael Gallina
author_facet Delatorre, Rafael Gallina
author_role author
dc.contributor.pt_BR.fl_str_mv Universidade Federal de Santa Catarina
dc.contributor.author.fl_str_mv Delatorre, Rafael Gallina
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Pasa, Andre Avelino
contributor_str_mv Pasa, Andre Avelino
dc.subject.classification.pt_BR.fl_str_mv Física
Materia condensada
Eletrodeposicao
Filmes finos
Semicondutores
topic Física
Materia condensada
Eletrodeposicao
Filmes finos
Semicondutores
description Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física.
publishDate 2007
dc.date.submitted.pt_BR.fl_str_mv 2007
dc.date.issued.fl_str_mv 2007
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2012-10-23T07:56:08Z
dc.date.available.fl_str_mv 2012-10-23T07:56:08Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/90272
dc.identifier.other.pt_BR.fl_str_mv 261775
identifier_str_mv 261775
url http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/90272
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 167 f.| il., grafs., tabs.
dc.publisher.none.fl_str_mv Florianópolis, SC
publisher.none.fl_str_mv Florianópolis, SC
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFSC
instname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron:UFSC
instname_str Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron_str UFSC
institution UFSC
reponame_str Repositório Institucional da UFSC
collection Repositório Institucional da UFSC
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90272/1/261775.pdf
https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90272/2/261775.pdf.txt
https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/90272/3/261775.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 74719dc2d73558d5578009c815cc0580
94575e7f794b343290f664ed2ce8b076
54e98322bdc94221b70ebb9b199912b5
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
repository.mail.fl_str_mv sandra.sobrera@ufsc.br
_version_ 1851758972726411264

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