Rugosidade superficial de camadas eletrodepositadas de óxido de cobre
| Ano de defesa: | 2008 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
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Florianópolis, SC
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| Programa de Pós-Graduação: |
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| País: |
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| Link de acesso: | http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/91611 |
Resumo: | Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Ciência e Engenharia de Materiais |
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Universidade Federal de Santa CatarinaStenger, VagnerPasa, Andre Avelino2012-10-24T00:46:02Z2012-10-24T00:46:02Z20082008261776http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/91611Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Ciência e Engenharia de MateriaisO objetivo deste trabalho é estudar a eletrodeposição de filmes finos de óxido de cobre sobre diferentes substratos bem como a evolução da rugosidade dos depósitos para aplicações futuras em dispositivos eletrônicos. Devido à alta qualidade dos contatos elétricos exigida e as diversas junções entre materiais que podem ser formadas, a presente investigação é de extrema importância para o emprego do Cu2O nas aplicações citadas acima. Os filmes finos de Cu2O foram obtidos com a técnica de eletrodeposição potenciostática, para uma solução eletrolítica contendo 0,4 M CuSO4 (sulfato de cobre), 3,0 M C3H6O3 (ácido lático) e 5,0 M NaOH (hidróxido de sódio). O pH desta solução foi mantido em um valor próximo a 10, para que fosse possível atingir uma concentração de vacâncias de cobre que deixam o material semicondutor com condução característica do tipo p. A investigação das amostras deu-se a partir da confirmação do material depositado ser o óxido de cobre do tipo I, ou seja, Cu2O ao invés de CuO. Os dados que levam a esta confirmação foram obtidos analisando as amostras com técnicas que permitissem extrair informações físicas e químicas dos depósitos, como: Difratometria de Raios X e Espectroscopia Raman. Quanto à evolução da rugosidade das amostras, a Teoria de Invariância por Escala ("Scaling") foi aplicada em imagens obtidas por Microscopia de Força Atômica. Os filmes foram crescidos sobre três diferentes substratos, Si tipo n e p (com alta densidade de dopantes) e níquel (evaporado sobre Si_n). Os resultados desta investigação mostraram que o material contém em sua maior parte Cu2O com orientação preferencial na direção [200], conforme observado por difratometria de raios-X. Espectros Raman também apresentaram a fase CuO, possivelmente com estrutura amorfa (picos largos) e em menor quantidade (picos de baixa intensidade). Para o estudo da evolução da topografia superficial das camadas depositadas foram observados baixos valores de rugosidade evoluindo com a espessura e a mudança de regime de escalonamento anômolo para o normal, com o aumento da condutividade do substrato.99 f.| il., grafs., tabs.porFlorianópolis, SCCiencia dos materiaisEngenharia de materiaisEletrodeposicaoFilmes finosRugosidade superficial de camadas eletrodepositadas de óxido de cobreinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINAL261776.pdfapplication/pdf1251343https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/91611/1/261776.pdfff46d31f089b7634f77885da7ac612c5MD51TEXT261776.pdf.txt261776.pdf.txtExtracted Texttext/plain112571https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/91611/2/261776.pdf.txt26e8d65ba2a6f92d50eebd4ee567b68dMD52THUMBNAIL261776.pdf.jpg261776.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg974https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/91611/3/261776.pdf.jpg300c0020cdc73f4bc7c6370d6e08061fMD53123456789/916112016-03-07 15:55:20.829oai:repositorio.ufsc.br:123456789/91611Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestsandra.sobrera@ufsc.bropendoar:23732016-03-07T18:55:20Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false |
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