Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2000
Autor(a) principal: Pavanello, Marcelo Antonio
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Caracterização elétrica
Electrical characterization
Manufacturing process
Processo de fabricação
SOI transistors
Transistores SOI
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-093642/
Resumo: Apresentamos neste trabalho o projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET, desenvolvida com o intuito de minimizar os efeitos bipolares parasitários que afetam os transistores SOI totalmente depletadosconvencionais. O projeto da nova estrutura proposta é realizado com base na física que descreve a ocorrência destes efeitos parasitas e com o auxílio de simuladores numéricos bidimensionais de dispositivos, resultando em um transistor com perfilassimétrico de dopantes na região de canal. O processo de fabricação dos novos transistores é desenvolvido mantendo a total compatibilidade com o processo normalmente utilizado para fabricar transistores SOI convencionais. Obtivemos umtransistor que apresenta significativas melhoras na tensão de ruptura e na variação da tensão de limiar, decorrentes do elevado campo elétrico na região de dreno, além aumentar a transcondutância e reduzir a condutância de saída do dispositivo,se comparado aos transistores SOI MOSFET convencionais. O desempenho do novo transistor proposto para aplicações em circuitos analógicos é também estudado, apresentando seu grande potencial para obtenção de amplificadores com elevado ganho ereduzida potência consumida.
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