Modelo analítico de comutação do transistor de alta mobilidade eletrônica HEMT.

• Ano de defesa: 1993
• Autor(a) principal: Olmos, Alfredo
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Circuitos integrados; Integrated circuits; Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28112024-081529/

No projeto de circuitos integrados digitais a HEMT é fundamental um modelo apropriado que permita prever o comportamento do circuito. Pelo fato de que a literatura científica não apresenta modelos de comutação, foi necessário desenvolver neste trabalho um modelo voltado para tais fins. Para compreender o funcionamento do HEMT foi preciso fazer uma análise qualitativa inedita, empregando os primeiros diagramas de bandas longitudinais do dispositivo. Estes diagramas possuem grande similaridade com os utilizados no estudo do MOSFET. Primeiramente é desenvolvido o modelo estático intrínseco do dispositivo fundamentado em diversas hipóteses e modelos particulares. A seguir, o modelo estatico intrinseco e estendido ao modelo estatico extrinseco, atraves da inclusao das resistencias parasitas de fonte e dreno. A comparacao das caracteristicas de corrente calculadas e os resultados experimentais reportados na literatura permitiu a validacao do modelo; o erro foi menor a 10%. Adicionando o efeito da corrente de porta e obtido o modelo estocástico extrínseco corrigido. A seguir, foi realizado o estudo cuidadoso das características intrínsecas e parasitas do dispositivo, o qual permitiu desenvolver modelos particulares em cada região de operação. Finalmente, o modelo estatístico extrínseco corrigido e as capacitâncias são integradas para obter o modelo de comutação do transistor HEMT.