Desenvolvimento de um sistema multicâmara integrado para deposição e recozimento de filmes \'SI\'\'O IND.2\'

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1995
Autor(a) principal: Morimoto, Nilton Itiro
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Filmes finos
Microelectronics (Processes)
Microeletrônica (Processos)
Óxido de silício
Silicon oxide
Thin films
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-085306/
Resumo: Foi desenvolvido um sistema multicâmara integrado para a deposição de óxidos de silício dopados ou não com boro e/ou fósforo por R/PECVD (Deposição Química a Vapor Enriquecido por Plasma/Remoto) que consiste de três câmaras de processo (PECVD, RPECVD e RTP), uma câmara de inserção de amostras e uma câmara de manipulação de amostras. O sistema é altamente versátil e flexível, possibilitando várias seqüências de processos de deposição, crescimento e/ou tratamentos por plasma e térmicos. Foi caracterizado o processo de deposição PECVD e obtivemos filmes finos de óxido de silício não dopado com uniformidade > 97%, taxas de deposição de 300 a 500 nm/min, estequiometria O/\'SI\' aproximadamente igual a 2, baixa concentração de ligações OH, concentração de carbono não detectável por AES, baixo estresse intrínseco e boa cobertura de degrau.
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