Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces.

• Ano de defesa: 2000
• Autor(a) principal: Silva, Ana Neilde Rodrigues da
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes finos (Deposição química a vapor); Microelectronics (Processes); Microeletrônica (Processos); Óxido de silício; Silicon oxide; Thin films (Chemical vapor deposition)
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-094437/

Neste trabalho estudamos o processo de deposição de filmes finos de óxido de silício por PECVD, tendo TEOS como fonte de silício. A influência da concentração de oxigênio excitado tanto nos mecanismos de reação como nas características físicas eelétricas dos óxidos depositados foram estudadas. O programa ANSYS, foi utilizado para a simulação do comportamento do fluxo gasoso no interior da câmara de deposição. No processo de deposição dos filmes de óxido de silício, os mecanismos deadsorsão de espécies ativas e de dessorção de subprodutos da superfície do substrato, controlam a taxa de reação. Observamos que, nos processos de deposição com excesso de oxigênio excitado, o mecanismo de dessorção de espécies da superfície éfavorecido e a taxa de deposição diminui. O resultado é um filme de óxido de silício de boa qualidade (\'NÚMERO DE CARGAS EFETIVAS\' = 1.5E10 \'cm POT.-1\', \'CAMPO DE RUPTURA DO ÓXIDO\' = 11 MV/cm, \'CORRENTE DE FUGA\' = 5 pA). Por outro lado, nosprocessos de deposição com baixa produção de oxigênio excitado o mecanismo de adsorsão de espécies ativas é favorecido e a taxa de deposição aumenta. Como resultado, obtemos um filme de óxido de silício com alta taxa de incorporação desubprodutos de reação.