Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão de camadas de silicetos de ferro superficiais e enterradas formadas por técnicas de crescimento epitaxial.
| Ano de defesa: | 1996 |
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| Tipo de documento: | Tese |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
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Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
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| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-155849/ |
Resumo: | Apresentamos neste trabalho a caracterização por MET de materiais empregados na microeletrônica, visando cobrir a carência da análise por MET desses materiais no Brasil. A caracterização foi executada em laminas de \'SI\', a qual foram incorporadas camadas de silicetos enterradas ou superficiais através de várias técnicas de silicetos enterradas ou superficiais, através, de várias técnicas de crescimento. As camadas enterradas no substrato de \'SI\' foram obtidas através da síntese por feixe iônico; e as superfícies por epitaxia de fase sólida e pela silicetação por pares de difusão \'FE\'-\'TI\'-\'SI\'. Para a análise por MET desenvolvemos os métodos de preparação de espécime planar e o de preparação de espécime transversal, para os quais são utilizados equipamentos específicos. Basicamente, as imagens de alta resolução e a difração eletrônica da MET foram responsáveis pela maioria dos resultados obtidos. Sua utilização mostrou a importância desta técnica na determinação das relações de orientação epitaxial entre o substrato e as camadas crescidas. Adicionalmente, com a MET pode-se visualizar a formação de precipitados no substrato e de defeitos nos grãos de siliceto formado. |
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Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão de camadas de silicetos de ferro superficiais e enterradas formadas por técnicas de crescimento epitaxial.Untitled in englishIron silicetesMicroscopia eletrônica de transmissão (Aplicações)Silicetos de ferroTransmission electron microscopy (Applications)Apresentamos neste trabalho a caracterização por MET de materiais empregados na microeletrônica, visando cobrir a carência da análise por MET desses materiais no Brasil. A caracterização foi executada em laminas de \'SI\', a qual foram incorporadas camadas de silicetos enterradas ou superficiais através de várias técnicas de silicetos enterradas ou superficiais, através, de várias técnicas de crescimento. As camadas enterradas no substrato de \'SI\' foram obtidas através da síntese por feixe iônico; e as superfícies por epitaxia de fase sólida e pela silicetação por pares de difusão \'FE\'-\'TI\'-\'SI\'. Para a análise por MET desenvolvemos os métodos de preparação de espécime planar e o de preparação de espécime transversal, para os quais são utilizados equipamentos específicos. Basicamente, as imagens de alta resolução e a difração eletrônica da MET foram responsáveis pela maioria dos resultados obtidos. Sua utilização mostrou a importância desta técnica na determinação das relações de orientação epitaxial entre o substrato e as camadas crescidas. Adicionalmente, com a MET pode-se visualizar a formação de precipitados no substrato e de defeitos nos grãos de siliceto formado.In this work a systematic study of cristallography of buried iron silicides layers formed by íon beam synthesis (IBS) in (001) and (111) silicon has been performed. Particularly, the evolution of the growth of the epitaxial silicide as a function of anneal time and temperature was investigated. Also the possibility to form ternary-cobalt silicides and nickel-iron silicides by IBS has been investigated. The formation of buried ternary silicides was investigated as a function of the implantation and anneal conditions. The structure of these ternary silicides was determined by HREM and compared with XRD and RBS data. For comparison with the results on buried iron silicides surface epitaxial iron silicides prepared by annealing of Fe/Ti Double layers on (100) and (111) silicon, were also investigated by HREM. The emphasis of the work was lie on the characterization by means of transmission electron microscopy (TEM). High resolution electron microscopy (HREM) and electron diffraction have been considered. Both plan view and cross-sectional investigations have been performed in order to fully characterize the material.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPMonteiro, Waldemar AlfredoSantos, Jarbas Tavares dos1996-03-19info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-155849/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-11-18T18:03:02Zoai:teses.usp.br:tde-18112024-155849Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-11-18T18:03:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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Apresentamos neste trabalho a caracterização por MET de materiais empregados na microeletrônica, visando cobrir a carência da análise por MET desses materiais no Brasil. A caracterização foi executada em laminas de \'SI\', a qual foram incorporadas camadas de silicetos enterradas ou superficiais através de várias técnicas de silicetos enterradas ou superficiais, através, de várias técnicas de crescimento. As camadas enterradas no substrato de \'SI\' foram obtidas através da síntese por feixe iônico; e as superfícies por epitaxia de fase sólida e pela silicetação por pares de difusão \'FE\'-\'TI\'-\'SI\'. Para a análise por MET desenvolvemos os métodos de preparação de espécime planar e o de preparação de espécime transversal, para os quais são utilizados equipamentos específicos. Basicamente, as imagens de alta resolução e a difração eletrônica da MET foram responsáveis pela maioria dos resultados obtidos. Sua utilização mostrou a importância desta técnica na determinação das relações de orientação epitaxial entre o substrato e as camadas crescidas. Adicionalmente, com a MET pode-se visualizar a formação de precipitados no substrato e de defeitos nos grãos de siliceto formado. |
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