Deposição de silício policristalino por LPCVD.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1993
Autor(a) principal: Pedrine, Antonio Giacomo
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Microelectronics (Processes)
Microeletrônica (Processos)
Polycrystalline silicon
Silício policristalino
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11122024-152603/
Resumo: Neste trabalho apresentamos o processo de deposição de silício policristalino por LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) utilizando nitrogênio como gás carregador. Para caracterização do processo, obtivemos inicialmente a relação entre fração molar de silana e taxa de deposição do filme. Com esse resultado, pudemos notar a pequena influência do processo de difusão de massa. Através de fotomicrografias de força atômica e varredura, pudemos acessar a influência da fração molar de silana na rugosidade superficial do filme. Analises por difração de raios-x mostraram que o filme exibe as seguintes orientações cristalográficas preferenciais: (110), (111), (311) e (331). Através de fotomicrografias de força atômica verificou-se que o tamanho de grão para filmes de espessura 0,5 micrometros possui tamanho de grão variando de 100 a 240 nanometros (valores próximos dos obtidos através de medidas de raios-x). Verificou-se também a estrutura colunar do filme.
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