Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores.

• Ano de defesa: 2001
• Autor(a) principal: Sonnenberg, Victor
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Capacitor SOI; Caracterização elétrica; Electrical characterization; Microelectronics; Microeletrônica; SOI capacitor
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/

Neste trabalho são propostos novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores MOS implementados em lâminas de Silício-Sobre-Isolante. Através do capacitor SOI de dois terminais são propostos os métodos para a determinação da concentração de dopantes do substrato (Nab), da carga efetiva de óxido na terceira interface (Qox3) e da espessura do óxido enterrado (toxb). Usando o capacitor SOI de três terminais, os métodos para a determinação da espessura da camada de silício (tSi), da concentração de dopantes da camada de silício (Naf ou Ndf) e das cargas efetivas de óxido na primeira (Qox1) e na segunda (Qox2) interface também são propostos. Simulações numéricas bidimensionais, utilizando-se o MEDICI, são realizadas para a análise das curvas Capacitância-Tensão (CxV) dos capacitores SOI e também para a validação e a análise da sensibilidade dos métodos propostos. Os métodos são aplicados experimentalmente e resultados coerentes com a tecnologia SOI analisada são obtidos. A principal vantagem dos métodos propostos é sua simplicidade de aplicação, pois parâmetros importantes da tecnologia SOI são obtidos através de simples curvas Capacitância-Tensão de capacitores MOS fabricados em lâminas SOI.