Desenvolvimento de um capacitor de ordem fracionária visando aplicações em microeletrônica.
| Ano de defesa: | 2024 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24022025-085001/ |
Resumo: | Este trabalho tem como objetivo o projeto, simulação e caracterização elétrica de capacitores fracionários implementados com topologia de árvore fractal. Inicialmente, são apresentados os fundamentos teóricos relativos aos circuitos fractais, seguidos de uma revisão das pesquisas recentes que impulsionaram a aplicação da teoria fractal no desenvolvimento de circuitos elétricos e eletrônicos. O foco deste estudo está na topologia de árvore fractal para futuras implementações experimentais de capacitores fracionários utilizando tecnologia MOS. Nesta dissertação, são aprofundadas as pesquisas existentes por meio da modelagem teórica da árvore fractal e da simulação de seu comportamento em termos de impedância. O trabalho visa tanto a validação das simulações realizadas pelos autores anteriores quanto à exploração de novas propriedades de interesse. A análise inclui a aplicação de técnicas de Monte Carlo para investigar a sensibilidade das curvas de impedância a variações aleatórias nos parâmetros do circuito. Nessas análises, observou-se que, para uma tolerância de 20% nos valores de e do dispositivo e para 2 acima e abaixo dos valores medianos (tanto para a largura quanto para o valor inicial de frequência da zona fractal), os desvios resultantes foram de 18% para o limite superior e -14% para o limite inferior, abrangendo mais de 90% das amostras. Além disso, foi realizada uma montagem experimental de circuitos de árvore fractal utilizando uma configuração discreta, permitindo a comparação entre os resultados experimentais e os obtidos por simulação. Os resultados demonstraram uma excelente correlação entre as simulações e os dados experimentais, evidenciando que o projeto desenvolvido neste trabalho possui grande potencial para implementação usando tecnologia microeletrônica, com aplicação em circuitos eletrônicos mais complexos. |
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Desenvolvimento de um capacitor de ordem fracionária visando aplicações em microeletrônica.Untitled in englishÁrvore fractalCapacitor fracionárioFractalFractal treeFractal zoneFractional capacitorMétodo de Monte CarloMonte CarloZona fractalEste trabalho tem como objetivo o projeto, simulação e caracterização elétrica de capacitores fracionários implementados com topologia de árvore fractal. Inicialmente, são apresentados os fundamentos teóricos relativos aos circuitos fractais, seguidos de uma revisão das pesquisas recentes que impulsionaram a aplicação da teoria fractal no desenvolvimento de circuitos elétricos e eletrônicos. O foco deste estudo está na topologia de árvore fractal para futuras implementações experimentais de capacitores fracionários utilizando tecnologia MOS. Nesta dissertação, são aprofundadas as pesquisas existentes por meio da modelagem teórica da árvore fractal e da simulação de seu comportamento em termos de impedância. O trabalho visa tanto a validação das simulações realizadas pelos autores anteriores quanto à exploração de novas propriedades de interesse. A análise inclui a aplicação de técnicas de Monte Carlo para investigar a sensibilidade das curvas de impedância a variações aleatórias nos parâmetros do circuito. Nessas análises, observou-se que, para uma tolerância de 20% nos valores de e do dispositivo e para 2 acima e abaixo dos valores medianos (tanto para a largura quanto para o valor inicial de frequência da zona fractal), os desvios resultantes foram de 18% para o limite superior e -14% para o limite inferior, abrangendo mais de 90% das amostras. Além disso, foi realizada uma montagem experimental de circuitos de árvore fractal utilizando uma configuração discreta, permitindo a comparação entre os resultados experimentais e os obtidos por simulação. Os resultados demonstraram uma excelente correlação entre as simulações e os dados experimentais, evidenciando que o projeto desenvolvido neste trabalho possui grande potencial para implementação usando tecnologia microeletrônica, com aplicação em circuitos eletrônicos mais complexos.This work aims at the design, simulation, and electrical characterization of fractional capacitors implemented with fractal tree topology. Initially, the theoretical foundations related to fractal circuits are presented, followed by a review of recent research that has driven the application of fractal theory in the development of electrical and electronic circuits. The focus of this study is on the fractal tree topology for future experimental implementations of fractional capacitors using MOS technology. In this dissertation, existing research is expanded through theoretical modeling of the fractal tree and simulation of its impedance behavior. The work aims to validate previous simulations conducted by other authors and to explore new properties of interest. The analysis includes the application of Monte Carlo techniques to investigate the sensitivity of impedance curves to random variations in circuit parameters. In these analyses, it was observed that for a tolerance of 20% in the device\'s and values and for 2 above and below the median values (both for the width and initial frequency value of the fractal zone), the resulting deviations were 18% for the upper limit and - 14% for the lower limit, encompassing more than 90% of the samples. Additionally, an experimental assembly of fractal tree circuits was carried out using a discrete configuration, allowing for a comparison between experimental results and those obtained by simulation. The results demonstrated an excellent correlation between the simulations and experimental data, showing that the design developed in this work has great potential for implementation using microelectronics technology, with applications in more complex electronic circuits.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPChávez, Marco Isaías AlayoMartino, João AntonioFernandes, Lucas Almir dos Santos2024-12-09info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24022025-085001/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-02-24T14:29:02Zoai:teses.usp.br:tde-24022025-085001Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-02-24T14:29:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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Este trabalho tem como objetivo o projeto, simulação e caracterização elétrica de capacitores fracionários implementados com topologia de árvore fractal. Inicialmente, são apresentados os fundamentos teóricos relativos aos circuitos fractais, seguidos de uma revisão das pesquisas recentes que impulsionaram a aplicação da teoria fractal no desenvolvimento de circuitos elétricos e eletrônicos. O foco deste estudo está na topologia de árvore fractal para futuras implementações experimentais de capacitores fracionários utilizando tecnologia MOS. Nesta dissertação, são aprofundadas as pesquisas existentes por meio da modelagem teórica da árvore fractal e da simulação de seu comportamento em termos de impedância. O trabalho visa tanto a validação das simulações realizadas pelos autores anteriores quanto à exploração de novas propriedades de interesse. A análise inclui a aplicação de técnicas de Monte Carlo para investigar a sensibilidade das curvas de impedância a variações aleatórias nos parâmetros do circuito. Nessas análises, observou-se que, para uma tolerância de 20% nos valores de e do dispositivo e para 2 acima e abaixo dos valores medianos (tanto para a largura quanto para o valor inicial de frequência da zona fractal), os desvios resultantes foram de 18% para o limite superior e -14% para o limite inferior, abrangendo mais de 90% das amostras. Além disso, foi realizada uma montagem experimental de circuitos de árvore fractal utilizando uma configuração discreta, permitindo a comparação entre os resultados experimentais e os obtidos por simulação. Os resultados demonstraram uma excelente correlação entre as simulações e os dados experimentais, evidenciando que o projeto desenvolvido neste trabalho possui grande potencial para implementação usando tecnologia microeletrônica, com aplicação em circuitos eletrônicos mais complexos. |
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