Películas de silício microcristalino hidrogenado depositadas a baixa temperatura pela técnica PECVD.

• Ano de defesa: 1998
• Autor(a) principal: Dirani, Ely Antonio Tadeu
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Películas de silício; Silicon films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112024-111538/

A possibilidade de deposição de películas de silício amorfo hidrogenado com dopagem controlada e o desenvolvimento de processos de deposição de películas de silício microcristalino hidrogenado (Si-\'mü\'c:H) com elevada condutividade elétrica tem estimulado o surgimento de novas técnicas de produção de células solares, transistores de filmes finos e outros dispositivos eletrônicos. Em paralelo com os desenvolvimentos citados, novas fronteiras tem sido exploradas no que tange ao uso de materiais poliméricos como substratos de baixo custo. Este trabalho tem como objetivo o estudo e desenvolvimento de técnicas de obtenção de películas de silício microcristalino hidrogenado depositadas em temperaturas baixas, abaixo do limite de suportabilidade térmica dos polímeros mais comuns que possam ser utilizados para os fins em pauta. Os resultados do estudo e desenvolvimento de técnicas de obtenção de filmes de Si-\'mü\':H a partir da deposição por processo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) em baixas temperaturas (-100 graus Celsius) são apresentados. Para o estudo das características estruturais foram utilizadas técnicas de espectroscopia Raman, espectroscopia no infravermelho, elipsometria, perfilometria e caracterização de superfícies através de microscopia de força atômica (AFM). As medidas de caráter elétrico e óptico, gap óptico e condutividade, em conjunto com as de caráter estrutural mostram que as películas deSi-\'mü\'c:H obtidas apresentam características comparáveis com as de películas depositadas em temperaturas mais elevadas, tipicamente em 250 graus Celsius. Valores de fração cristalina de até 66%, gap óptico superior a 2 e V e condutividade no escuro de até\'5,5x10 POT.-5\' S/cm foram alcançados para amostras depositadas na temperatura de 100 graus Celsius. São mostrados, também, os resultados do estudo do efeito de diferentes substratos na estrutura do material depositado.