Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1991
Autor(a) principal: Dirani, Ely Antonio Tadeu
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Películas de silício
Silicon films
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-093110/
Resumo: Foram estudadas as propriedades eletro-ópticas e estruturais de películas de silício microcristalino hidrogenado dopadas com fósforo em função dos parâmetros de deposição. As películas foram depositadas num reator do tipo plasma enhanced chemical vapor deposition. Observou-se que as propriedades do material são extremamente sensíveis a densidade de potência de r.f. E a concentração de hidrogênio na mistura gasosa. As propriedades elétricas, ópticas e a estrutura das películas foram estudadas através da energia de ativação e condutividade, da energia do hiato óptico, difração raios-x com incidência de baixo ângulo, espectroscopia Raman e espectroscopia de infravermelho. O tamanho médio dos cristalitos apresentou-se na faixa entre 70 angstrons e 120 angstrons. Observou-se que a condutividade elétrica das películas e diretamente proporcional ao tamanho médio dos cristalitos é também depende da concentração de hidrogênio na mistura gasosa e da densidade de potencia r.f.
id USP_b0539e474ee71eba9778807920309d5f
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-08012025-093110
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str
spelling Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.Untitled in englishPelículas de silícioSilicon filmsForam estudadas as propriedades eletro-ópticas e estruturais de películas de silício microcristalino hidrogenado dopadas com fósforo em função dos parâmetros de deposição. As películas foram depositadas num reator do tipo plasma enhanced chemical vapor deposition. Observou-se que as propriedades do material são extremamente sensíveis a densidade de potência de r.f. E a concentração de hidrogênio na mistura gasosa. As propriedades elétricas, ópticas e a estrutura das películas foram estudadas através da energia de ativação e condutividade, da energia do hiato óptico, difração raios-x com incidência de baixo ângulo, espectroscopia Raman e espectroscopia de infravermelho. O tamanho médio dos cristalitos apresentou-se na faixa entre 70 angstrons e 120 angstrons. Observou-se que a condutividade elétrica das películas e diretamente proporcional ao tamanho médio dos cristalitos é também depende da concentração de hidrogênio na mistura gasosa e da densidade de potencia r.f.In this work the electro-optical and structural properties of microcrystalline phosphorus doped hydrogenated silicon films ( µc-Si:H) are investigated as a function of their deposition parameters. The films were deposited in a plasma enhanced CVD system. It is observed that their properties are extremely sensitive to the r.f. power density and hydrogen concentration on the reaction gases mixture. A discussion is made about the influence of the mentioned deposition parameters on the growth process of µc-Si:H films. The electrical properties of the films was studied through their activation energy and electrical conductivity. High values of electrical conductivities (~ 101 S.cm-1 ) were obtained for films deposited under the conditions of a high dilution rate of hydrogen (99,5 %) and r.f. power density in the range of 375 mW/cm2 to 500 mW/cm2. The optical properties was studied through the optical-gap (Eopt).It was observed that Eopt has a strong dependence on the film thickness. The structure of µc-Si:H films was studied by Small Angle X-ray Scattering (SAXS), Raman spectroscopy and infrared spectroscopy techniques. The deposition rate data was used to study the deposition time influence on the growth process. The average grain crystallite size obtained by the SAXS technique showed to be in the range of 70 Å to 120 Å. A direct relationship of the grain size with the electrical conductivity was observed.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPAndrade, Adnei Melges deDirani, Ely Antonio Tadeu1991-11-21info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-093110/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-01-08T11:35:02Zoai:teses.usp.br:tde-08012025-093110Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-01-08T11:35:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
Untitled in english
title Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
spellingShingle Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
Dirani, Ely Antonio Tadeu
Películas de silício
Silicon films
title_short Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
title_full Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
title_fullStr Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
title_full_unstemmed Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
title_sort Películas de silício microcristalino hidrogenado: um estudo de desenvolvimento de sua obtenção por processo CVD assistido por plasma.
author Dirani, Ely Antonio Tadeu
author_facet Dirani, Ely Antonio Tadeu
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Andrade, Adnei Melges de
dc.contributor.author.fl_str_mv Dirani, Ely Antonio Tadeu
dc.subject.por.fl_str_mv Películas de silício
Silicon films
topic Películas de silício
Silicon films
description Foram estudadas as propriedades eletro-ópticas e estruturais de películas de silício microcristalino hidrogenado dopadas com fósforo em função dos parâmetros de deposição. As películas foram depositadas num reator do tipo plasma enhanced chemical vapor deposition. Observou-se que as propriedades do material são extremamente sensíveis a densidade de potência de r.f. E a concentração de hidrogênio na mistura gasosa. As propriedades elétricas, ópticas e a estrutura das películas foram estudadas através da energia de ativação e condutividade, da energia do hiato óptico, difração raios-x com incidência de baixo ângulo, espectroscopia Raman e espectroscopia de infravermelho. O tamanho médio dos cristalitos apresentou-se na faixa entre 70 angstrons e 120 angstrons. Observou-se que a condutividade elétrica das películas e diretamente proporcional ao tamanho médio dos cristalitos é também depende da concentração de hidrogênio na mistura gasosa e da densidade de potencia r.f.
publishDate 1991
dc.date.none.fl_str_mv 1991-11-21
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-093110/
url https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-093110/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1831214826454515712

Registros relacionados