Exportação concluída — 

Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1991
Autor(a) principal: Furtado, Wagner Wilson
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Carbon
Carbono
Cz-Silicon
diffuse scattering.
Espalhamento difuso.
Oxigênio
Oxygen
Silício-Cz
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06082013-103439/
Resumo: Neste trabalho é estudado o efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski crescido na direção em amostras submetidas a tratamentos térmicos variados. Medidas de espalhamento difuso de raios-X, espectroscopia de infravermelho, medidas de resistividade, topografia de raios-X e microscopia eletrônica de transmissão mostraram que os defeitos nas amostras \"como crescidas\" podem ser relacionados com os microdefeitos tipo B. Tratamento térmico a 450ºC mostrou a presença de vacâncias nas amostras com baixa concentração de carbono enquanto que nas amostras com alta concentração de carbono ocorre a inibição da formação dos doadores térmicos (\"Thermal Donors - TD\"). Os resultados confirmam os modelos de Newman e Mathiot para a geração dos TD. Para tratamento térmico a 650ºC o carbono promove a formação de Novos Doadores (\"New Donors - ND\"). Os resultados mostram que estes defeitos são de natureza predominante de vacância e concordam com os modelos de geração que envolvem átomos de oxigênio substitucional. Os doadores observados a 550ºC puderam ser relacionados aos Novos Doadores Térmicos (\"New Thermal Donors - NTD\") observados por Kamiura et al..
id USP_9fb02d5833a4d1832382c1a7d81bd15e
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-06082013-103439
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str
spelling Efeito do carbono na formação de defeitos em silício CzochralskiEffect of carbon in the formation of defects in Czochralski silicon.CarbonCarbonoCz-Silicondiffuse scattering.Espalhamento difuso.OxigênioOxygenSilício-CzNeste trabalho é estudado o efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski crescido na direção em amostras submetidas a tratamentos térmicos variados. Medidas de espalhamento difuso de raios-X, espectroscopia de infravermelho, medidas de resistividade, topografia de raios-X e microscopia eletrônica de transmissão mostraram que os defeitos nas amostras \"como crescidas\" podem ser relacionados com os microdefeitos tipo B. Tratamento térmico a 450ºC mostrou a presença de vacâncias nas amostras com baixa concentração de carbono enquanto que nas amostras com alta concentração de carbono ocorre a inibição da formação dos doadores térmicos (\"Thermal Donors - TD\"). Os resultados confirmam os modelos de Newman e Mathiot para a geração dos TD. Para tratamento térmico a 650ºC o carbono promove a formação de Novos Doadores (\"New Donors - ND\"). Os resultados mostram que estes defeitos são de natureza predominante de vacância e concordam com os modelos de geração que envolvem átomos de oxigênio substitucional. Os doadores observados a 550ºC puderam ser relacionados aos Novos Doadores Térmicos (\"New Thermal Donors - NTD\") observados por Kamiura et al..Effect of carbon concentration upon defect formation in oxygen rich Czochralski grown silicon has been investigated by combining various furnace thermal anneals. Diffuse X-ray scattering, infrared spectroscopy, resistivity, x-ray topography, and transmission electron microscopy have shown that defects in as-grown samples could be related to the B swirls. 450ºC anneals have shown the presence of vacancies in low carbon samples while high carbon concentration inhibited Thermal Donor (TD) formation. Our results confirm models by Newman and Mathiot for thermal donors generation. For 650ºC anneals carbon promotes New Donors (ND) formation. Our results show that these defects are mainly vacancy in nature and agrees with the substitutional oxygen models proposed for these donors. Donor formation was observed at 550ºC which could be related to New Thermal Donors (NTD) proposed by Kamiura et al..Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPIsotani, SadaoFurtado, Wagner Wilson1991-06-14info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06082013-103439/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2016-07-28T16:10:36Zoai:teses.usp.br:tde-06082013-103439Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212016-07-28T16:10:36Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
Effect of carbon in the formation of defects in Czochralski silicon.
title Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
spellingShingle Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
Furtado, Wagner Wilson
Carbon
Carbono
Cz-Silicon
diffuse scattering.
Espalhamento difuso.
Oxigênio
Oxygen
Silício-Cz
title_short Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
title_full Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
title_fullStr Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
title_full_unstemmed Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
title_sort Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
author Furtado, Wagner Wilson
author_facet Furtado, Wagner Wilson
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Isotani, Sadao
dc.contributor.author.fl_str_mv Furtado, Wagner Wilson
dc.subject.por.fl_str_mv Carbon
Carbono
Cz-Silicon
diffuse scattering.
Espalhamento difuso.
Oxigênio
Oxygen
Silício-Cz
topic Carbon
Carbono
Cz-Silicon
diffuse scattering.
Espalhamento difuso.
Oxigênio
Oxygen
Silício-Cz
description Neste trabalho é estudado o efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski crescido na direção em amostras submetidas a tratamentos térmicos variados. Medidas de espalhamento difuso de raios-X, espectroscopia de infravermelho, medidas de resistividade, topografia de raios-X e microscopia eletrônica de transmissão mostraram que os defeitos nas amostras \"como crescidas\" podem ser relacionados com os microdefeitos tipo B. Tratamento térmico a 450ºC mostrou a presença de vacâncias nas amostras com baixa concentração de carbono enquanto que nas amostras com alta concentração de carbono ocorre a inibição da formação dos doadores térmicos (\"Thermal Donors - TD\"). Os resultados confirmam os modelos de Newman e Mathiot para a geração dos TD. Para tratamento térmico a 650ºC o carbono promove a formação de Novos Doadores (\"New Donors - ND\"). Os resultados mostram que estes defeitos são de natureza predominante de vacância e concordam com os modelos de geração que envolvem átomos de oxigênio substitucional. Os doadores observados a 550ºC puderam ser relacionados aos Novos Doadores Térmicos (\"New Thermal Donors - NTD\") observados por Kamiura et al..
publishDate 1991
dc.date.none.fl_str_mv 1991-06-14
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06082013-103439/
url http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06082013-103439/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1815257905122770944

Registros relacionados