Transistor MOS com porta de paládio sensêvel ao hidrogênio.

• Ano de defesa: 1993
• Autor(a) principal: Baratto, Giovani
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19122024-163359/

Apresentamos um modelo teórico para a resposta ao hidrogênio dos transistores MOS com porta de paládio (Pd-MOSFET) e, comparamos com os resultados experimentais dos dispositivos por nós fabricados. Um roteiro básico para a fabricação de transistores Pd-MOSFET com as tecnologias compatíveis com a fabricação de circuitos integrados é definido. Montamos um sistema para diluir o hidrogênio em concentrações apropriadas as medidas de caracterização dos dispositivos. O filme de paládio, estudado com algumas técnicas de caracterização de filmes finos, apresentou contaminação de tungstênio. Estudamos o comportamento do transistor Pd-MOSFET em regime permanente, com transiente na concentração de hidrogênio e, em função da temperatura. O transistor apresentou uma excelente sensibilidade ao hidrogênio, exibindo uma variação na tensão de limiar de aproximadamente 0,3 v para concentrações de 13 ppm. A máxima variação na tensão de limiar ficou em torno de 0,5 v. Os resultados experimentais comprovaram a existência de deriva induzida pelo hidrogênio (HID). O oxigênio tem um importante papel no efeito do HID e pode promover a inativação do dispositivo. A resposta do transistor deve ser modelada com a isoterma de Langmuir somente se o ambiente não contiver oxigênio, caso contrário, a isoterma de Temkim deve ser utilizada para contabilizar o efeito da deriva induzida pelo hidrogênio.