Caracterização em ruído de transistores Mesfet e HEMT na faixa de microondas.

• Ano de defesa: 1993
• Autor(a) principal: Colombani, Fernando
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Microonda; Microwave; Noise in transistors; Ruído em transistores
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122024-112759/

O tema desta dissertação de mestrado é o desenvolvimento de um método para caracterizar, em ruído, transistores a efeito de campo de barreira Schottky (Mesfet\'s) E DE ALTA MOBILIDADE DE ELETRONS (HEMT\'s) em frequências entre 0, 5 e 20 ghz. É feito um estudo dos principais tipos de ruído que influenciam estes dispositivos na faixa de frequência citada, dando-se ênfase ao ruído do tipo térmico. É revisto o conceito de figura de ruído, juntamente com os principais fatores que influenciam este parâmetro em transistores a efeito de campo. É apresentada a metodologia empregada neste trabalho para representar transistores, mediante discussões entre modelamento físico e experimental. É descrito o processo de modelamento do transistor em pequenos sinais, incluindo sua capsula, o transistor intrinsico e os elementos parasitas. Apresenta-se uma metodologia original para a determinacao do modelo em ruido, incluindo a determinação do melhor ponto de polarização. Os resultados do modelamento são comparados com medidas feitas com dois transistores comerciais, sendo um do tipo Mesfet (s8818a da Toshiba) e um do tipo HEMT (2sk677 da Sony). O modelo obtido é aplicado ao projeto de um amplificador de baixo ruído em 18 ghz. Os resultados práticos são comparados com os previstos teoricamente, obtendo-se boa concordância entre eles.