Preparação e caracterização elétrica de filmes amorfos de dióxido de titânio
Ano de defesa: | 2019 |
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Instituição de defesa: |
Universidade Estadual de Ponta Grossa
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Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciências de Materiais
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Departamento: |
Departamento de Engenharia de Materiais
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País: |
Brasil
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Palavras-chave em Português: | |
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Resumo: | O dióxido de titânio é um material semicondutor, estável, polimorfo, que pode aparecer em três fases cristalinas conhecidas, a anatase, o rutilo e a bruquita. A temperatura é um fator que afeta na cristalização das fases. Em baixas temperaturas de processamento, o dióxido de titânio pode se apresentar em uma fase amorfa, que não possui ordem a longo alcance. Esta fase amorfa, no entanto, não é amplamente estudada, porém suas propriedades podem ser interessantes para as indústrias. Com o objetivo de desenvolver superfícies funcionais de dióxido de titânio amorfo, como superfícies auto-limpantes, para o uso em células solares, para detecção térmica, em fotocatalisadores para remoção orgânica, entre outros, investigou-se, neste trabalho, as características de filmes finos depositados via plasma pulsado magnetron sputtering. Três procedimentos diferentes de deposição foram utilizados. Houve a formação de filmes finos amorfos com apenas uma ordem a curto alcance. Apenas dois filmes obtidos apresentaram características hidrofílicas, e seus ângulos de contato variaram de 33,2 a 37,7 °. Filmes com caráter hidrofóbico apresentaram ângulos de contato que variaram de 49,5 a 84,1 °. Com relação às propriedades ópticas, os filmes apresentaram redução de transmitância e redução do band gap óptico com o aumento do tempo de deposição. Os filmes formados apresentaram grãos distribuídos uniformemente, e o tamanho do grão e a rugosidade aumentaram com maiores tempos de deposição. Observou-se também que a resistividade dos filmes reduziu com o aumento da temperatura, caracterizando os filmes como termistores NTC. Parâmetros característicos dos termistores foram calculados, obtendo-se valores de α entre 0,54 a 0,98 % na resistividade por Kelvin, e valores de β entre 480 a 875 K. |
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Preparação e caracterização elétrica de filmes amorfos de dióxido de titânio. 2019.Dissertação (Mestrado em Engenharia e Ciência de Materiais) - Universidade Estadual de Ponta Grossa, Ponta Grossa, 2019.http://tede2.uepg.br/jspui/handle/prefix/2848O dióxido de titânio é um material semicondutor, estável, polimorfo, que pode aparecer em três fases cristalinas conhecidas, a anatase, o rutilo e a bruquita. A temperatura é um fator que afeta na cristalização das fases. Em baixas temperaturas de processamento, o dióxido de titânio pode se apresentar em uma fase amorfa, que não possui ordem a longo alcance. Esta fase amorfa, no entanto, não é amplamente estudada, porém suas propriedades podem ser interessantes para as indústrias. Com o objetivo de desenvolver superfícies funcionais de dióxido de titânio amorfo, como superfícies auto-limpantes, para o uso em células solares, para detecção térmica, em fotocatalisadores para remoção orgânica, entre outros, investigou-se, neste trabalho, as características de filmes finos depositados via plasma pulsado magnetron sputtering. Três procedimentos diferentes de deposição foram utilizados. Houve a formação de filmes finos amorfos com apenas uma ordem a curto alcance. Apenas dois filmes obtidos apresentaram características hidrofílicas, e seus ângulos de contato variaram de 33,2 a 37,7 °. Filmes com caráter hidrofóbico apresentaram ângulos de contato que variaram de 49,5 a 84,1 °. Com relação às propriedades ópticas, os filmes apresentaram redução de transmitância e redução do band gap óptico com o aumento do tempo de deposição. Os filmes formados apresentaram grãos distribuídos uniformemente, e o tamanho do grão e a rugosidade aumentaram com maiores tempos de deposição. Observou-se também que a resistividade dos filmes reduziu com o aumento da temperatura, caracterizando os filmes como termistores NTC. Parâmetros característicos dos termistores foram calculados, obtendo-se valores de α entre 0,54 a 0,98 % na resistividade por Kelvin, e valores de β entre 480 a 875 K.Titanium dioxide is a stable, polymorphic semiconductor material that can appear in three known crystalline phases, anatase, rutile and bruquita. Temperature is a factor that affects the crystallization of phases. At low processing temperatures, titanium dioxide may present in an amorphous phase, which has no long-range order. This amorphous phase, however, is not widely studied, but may its properties may be of interest to industries. With the objective of developing functional surfaces of amorphous titanium dioxide, such as self-cleaning surfaces, for use in solar cells, for thermal detection, in photocatalysts for organic removal, among others, was investigating, in this work, the characteristics of thin films deposited by pulsed plasma magnetron sputtering. Three different deposition procedures were used. There was the formation of amorphous thin films with only a short-range order. Only two films obtained presented hydrophilic characteristics, and their contact angles ranged from 33.2 to 37.7 °. Films with the hydrophobic characteristics of contact angles ranging from 49.5 to 84.1 °. Concernig to the optical properties, the films presented reduction of transmittance and reduction of the optical band gap with the increase of deposition time. The films formed had uniformly distributed grains, and grain size and roughness increased with longer deposition times. It was also observed that the resistivity of the films reduced with increasing temperature, characterizing the films as NTC thermistors. Characteristic parameters of the thermistors were calculated, obtaining values of α between 0.54 to 0.98 % to the resistivity by Kelvin, and values of β between 480 and 874 K.Submitted by Angela Maria de Oliveira (amolivei@uepg.br) on 2019-06-24T18:06:52Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 811 bytes, checksum: e39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34 (MD5) Nickolle.pdf: 8272314 bytes, checksum: 8bdc269515c6b7c9592dac212198cb73 (MD5)Made available in DSpace on 2019-06-24T18:06:52Z (GMT). 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