Produção e caracterização de películas de ligas de silício amorfo hidrogenado dopadas com boro.
| Ano de defesa: | 1991 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
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| País: |
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-06012025-122006/ |
Resumo: | Neste trabalho foi realizado o estudo de filmes de silício amorfo hidrogenado e suas ligas com carbono dopados com boro, num reator planar de descarga luminosa capacitiva de RF. Durante os estudos, que visavam a obtenção das condições ideais de deposição desses materiais, foi observado um fator limitante, que diz respeito principalmente aos tipos de gases inseridos dentro da câmara de deposição. Neste caso nos referimos ao hélio, utilizado como diluente no cilindro da diborana, que leva a produção de películas com propriedades opto-elétricas pobres, contrariamente as películas intrínsecas ou dopadas com fósforo depositadas no mesmo reator. |
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Produção e caracterização de películas de ligas de silício amorfo hidrogenado dopadas com boro.Untitled in englishFilmes de silícioSilicon filmsNeste trabalho foi realizado o estudo de filmes de silício amorfo hidrogenado e suas ligas com carbono dopados com boro, num reator planar de descarga luminosa capacitiva de RF. Durante os estudos, que visavam a obtenção das condições ideais de deposição desses materiais, foi observado um fator limitante, que diz respeito principalmente aos tipos de gases inseridos dentro da câmara de deposição. Neste caso nos referimos ao hélio, utilizado como diluente no cilindro da diborana, que leva a produção de películas com propriedades opto-elétricas pobres, contrariamente as películas intrínsecas ou dopadas com fósforo depositadas no mesmo reator.In this work we performed a study of boron doped hydrogenated amorphous silicon films and its carbon alloys, produced in a capacitively coupled glow-discharge reactor. In the course of the work, to obtain ideal deposition conditions to these materials, we the type of gas used as diluent for the dopant. In this case we refer to Helium used as carrier gas for diborane which degrades the optical and electrical properties of the deposited R doped films.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPPereyra, InêsRamos, Carlos Alberto Santos1991-11-19info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-06012025-122006/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-01-06T14:24:02Zoai:teses.usp.br:tde-06012025-122006Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-01-06T14:24:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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Neste trabalho foi realizado o estudo de filmes de silício amorfo hidrogenado e suas ligas com carbono dopados com boro, num reator planar de descarga luminosa capacitiva de RF. Durante os estudos, que visavam a obtenção das condições ideais de deposição desses materiais, foi observado um fator limitante, que diz respeito principalmente aos tipos de gases inseridos dentro da câmara de deposição. Neste caso nos referimos ao hélio, utilizado como diluente no cilindro da diborana, que leva a produção de películas com propriedades opto-elétricas pobres, contrariamente as películas intrínsecas ou dopadas com fósforo depositadas no mesmo reator. |
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