Deslocalização eletrônica através do ligante 4,4\'-ditiodipiridina em complexos de rutênio e ósmio

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1996
Autor(a) principal: Lima, Joacy Batista de
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
complexos de ósmio
complexos de rutênio
deslocalização eletrônica
electronic delocalization
mixed valence
osmium complexes
ruthenium complexes
valência mista
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75131/tde-10022026-162500/
Resumo: O presente trabalho descreve a síntese e caracterização dos complexos mononucleares Os(NH3)5DTDP3, Ru(NH3)5DTDP3 e trans-Ru(NH3)4(DTDP)22, do complexo heterobinuclear de valência mista simétrico (NH3)5Os-DTDP-Ru(NH3)53(https://www.google.com/search?q=PF%3Csub%3E6%3C/sub%3E)2 e do complexo trinuclear trans-(NH3)5Ru-DTDP-Ru(NH3)4-DTDP-Ru(NH3)56 (DTDP = 4,4\'-ditiodipiridina). Através dos deslocamentos observados das bandas de transferência de carga dos íons complexos protonados [Os(NH3)5DTDPH]4+ e [Ru(NH3)5DTDPH]4+ em comparação com as bandas dos respectivos íons desprotonados, foi possível fazer as atribuições das bandas de transferência de carga, sugerindo que no OsIII.DTDP a transição é do tipo TCML, enquanto que no RuIII.DTDP é do tipo TCLM. A magnitude do parâmetro de distorção axial Δ, calculado através dos valores de g obtidos do espectro de RPE do íon complexo OsIII.DTDP em comparação com o análogo de Ru(III), sugere que a espécie OsIII.DTDP apresenta um certo grau de interação 5dπ → pπ*, o que corrobora com o tipo de transição TCML obtido. O estudo do complexo heterobinuclear de valência mista simétrico revelou a presença de uma banda de intervalência na região do infravermelho próximo (1485 nm), característica de sistemas de valência mista com fraca interação eletrônica entre os centros metálicos
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