Deslocalização eletrônica e reatividade em complexos de ósmio e rutênio

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2003
Autor(a) principal: Silva, Welter Cantanhêde da
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
binuclear complexes
complexos binucleares
deslocalização eletrônica
electronic delocalization
nitric oxide
ósmio
osmium
óxido nítrico
rutênio
ruthenium
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75132/tde-17032026-112153/
Resumo: O trabalho apresenta o estudo de complexos binucleares simétricos, com destaque para a espécie [{Os(NH3)5}2-µ-(dtdp)]5+ (onde dtdp = 4,4\'-ditiodipiridina). A investigação focou na deslocalização eletrônica através da ponte dissulfeto (-S-S-), utilizando técnicas de voltametria cíclica, espectroscopia eletrônica e Ressonância Magnética Nuclear (RMN de 1H). Os resultados de RMN em região de campo blindado revelaram sinais referentes aos prótons dos anéis piridínicos que indicam interações eletrônicas entre os orbitais d dos centros de ósmio e a ponte dtdp. Além disso, a reatividade do óxido nítrico (NO) coordenado a centros de rutênio foi explorada, analisando como a escolha de ligantes na posição trans pode modular as propriedades de substituição e transferência de elétrons no sistema trans-[Ru(NH3)4NO L]n+.
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