Modelo de grandes sinais para transistores HEMT aplicado a síntese de circuitos não lineares de microondas.

• Ano de defesa: 1991
• Autor(a) principal: Correra, Fatima Salete
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06032025-101629/

O tema central desta tese é o estudo do comportamento não-linear de transistores de efeito de campo empregando heteroestrutura de A1GaAs/GaAs com modulação de dopagem, denominados HEMTs. São apresentados o estado atual da arte e os fundamentos teóricos referentes a esse dispositivo. É proposto um modelo original para o HEEMT, que fornece uma representação unificada do dispositivo em DC e em micro-ondas, em regime de pequenos sinais e de grandes sinais. Descreve-se o equacionamento utilizado na implantação do modelo desenvolvido para HEMTs no simulador de circuitos SPICE. É apresentado um método para extração dos parâmetros do modelo proposto para HEMTs, bem como sua aplicação ao modelamento de um transistor comercialmente disponível. É realizada a comprovação do modelo, comparando-se resultados experimentais com os obtidos através do modelo do HEMT, relativos a características estáticas e ao desempenho do transistor na faixa de micro-ondas, tanto em operação linear, como não-linear. É proposto um novo método de síntese de circuitos não-lineares de micro-ondas, empregando o modelo não-linear desenvolvido para HEMTs e o simulador de circuitos SPICE. Discute-se a aplicação desse método de síntese a osciladores e multiplicadores de frequências, apresentando-se o projeto, realização e resultados experimentais de osciladores em 9 e 18 GHz e de dobrador de frequências de 6/12 GHz. Os resultados experimentais obtidos validaram o modelo do HEMT e o método de síntese de circuitos não lineares propostos nesta tese, apresentando características otimizadas, inéditas para esse dispositivo, destacando-se: geração de +14,5 dBm e eficiência de 30% - oscilador de 9 GHz, e ganho de multiplicação de 10 dB para o dobrador de frequências de 6/12 GHz.