Estudo do contato metal-semicondutor em \'GA\'\'AS\' e sua contribuição na construção de Mesfet.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1991
Autor(a) principal: Lee, Hong Keun
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Transistores
Transistors
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012025-155109/
Resumo: Este trabalho consiste em estudar e otimizar contatos metal-semicondutor de arseneto de galido para construção de transistores Mesfet. Para chegar a este objetivo construiu-se dispositivos de caracterização dos contatos e camada ativa; desenvolveu-se uma tecnologia de construção de transistor Mesfet de microonda; e finalmente caracterizou o transistor e comparou os resultados obtidos experimentalmente com os obtidos teoricamente (estimados com dispositivos de caracterização). A comparação dos resultados mostraram a validade dos métodos de caracterização e a tecnologia de construção de transistor Mesfet desenvolvida. O transistor construído com comprimento de porta de 1, 2 microns apresentou características de microondas consideradas boas. O contato ôhmico obtido a base de material sinterizado \'PD\'/\'GE\'/\'AU\' mostrou ter baixa resistividade e uma boa morfologia de superficie, o que permitiria maior interação.
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